产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 8 ns,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Nexperia Si N沟道 MOSFET BSH114,215, 850 mA, Vds=100 V, 3引脚 TO-236AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 8 ns,
制造商零件编号:
BSH114,215
品牌:
Nexperia
库存编号:
508-539
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DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZVP1320FTA, 35 mA, Vds=200 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 8 ns,
制造商零件编号:
ZVP1320FTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
669-7704
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 N沟道 Si MOSFET FDY3000NZ, 600 mA, Vds=20 V, 6引脚 SC-89封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 8 ns,
制造商零件编号:
FDY3000NZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0841
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 N沟道 Si MOSFET FDY300NZ, 600 mA, Vds=20 V, 3引脚 SC-89封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 8 ns,
制造商零件编号:
FDY300NZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0845
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQD13N06TM, 10 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 8 ns,
制造商零件编号:
FQD13N06TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0958
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Vishay Si N沟道 MOSFET SUD06N10-225L-GE3, 6.5 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 8 ns,
制造商零件编号:
SUD06N10-225L-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-5008
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Vishay SQ Rugged 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SQ1420EEH-T1-GE3, 1.6 A, Vds=60 V, 6引脚 SC-70封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 8 ns,
制造商零件编号:
SQ1420EEH-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9434
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ900N15NS3 G, 13 A, Vds=150 V, 8引脚 TSDSON封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 8 ns,
制造商零件编号:
BSZ900N15NS3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
898-6886
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DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZVP3306FTA, 90 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 8 ns,
制造商零件编号:
ZVP3306FTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
922-7730
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DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZVP1320FTA, 35 mA, Vds=200 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 8 ns,
制造商零件编号:
ZVP1320FTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
922-7967
搜索
DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZVP3306FTA, 90 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 8 ns,
制造商零件编号:
ZVP3306FTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
275-973
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI1302DL-T1-E3, 600 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-323封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 8 ns,
制造商零件编号:
SI1302DL-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
655-6795
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 N/P沟道 Si MOSFET FDY4000CZ, 350 mA,600 mA, Vds=20 V, 6引脚 SC-89封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 8 ns,
制造商零件编号:
FDY4000CZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0857
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN10A08GTA, 2.9 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 8 ns,
制造商零件编号:
ZXMN10A08GTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
708-2440
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DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZVP3310A, 140 mA, Vds=100 V, 3引脚 TO-92封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 8 ns,
制造商零件编号:
ZVP3310A
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-5271
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 BSC100N03MS G, 44 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 8 ns,
制造商零件编号:
BSC100N03MS G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5294
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Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPD35N10S3L-26, 35 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 8 ns,
制造商零件编号:
IPD35N10S3L-26
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9128
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN2110GTA, 500 mA, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 8 ns,
制造商零件编号:
ZVN2110GTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
155-135
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DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZVP3306A, 160 mA, Vds=60 V, 3引脚 E-Line封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 8 ns,
制造商零件编号:
ZVP3306A
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
655-571
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDY100PZ, 350 mA, Vds=20 V, 3引脚 SC-89封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 8 ns,
制造商零件编号:
FDY100PZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0839
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 P沟道 Si MOSFET FDG6316P, 700 mA, Vds=12 V, 6引脚 SC-70封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 8 ns,
制造商零件编号:
FDG6316P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
761-4432
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Vishay Si N沟道 MOSFET SIR698DP-T1-GE3, 7.5 A, Vds=100 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 8 ns,
制造商零件编号:
SIR698DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9345
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 N沟道 Si MOSFET FDY302NZ, 600 mA, Vds=20 V, 3引脚 SC-89封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 8 ns,
制造商零件编号:
FDY302NZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-0729
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ42DN25NS3 G, 5 A, Vds=250 V, 8引脚 TSDSON封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 8 ns,
制造商零件编号:
BSZ42DN25NS3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9382
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Fairchild Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 FDMC86265P, 1 A, Vds=150 V, 8引脚 Power 33封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 8 ns,
制造商零件编号:
FDMC86265P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8234
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