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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDP8860, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 64 ns,
• 制造商零件编号：
  FDP8860
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4865
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP037N06L3 G, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 64 ns,
• 制造商零件编号：
  IPP037N06L3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5487
  
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• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTMS4177PR2G, 11.4 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 64 ns,
• 制造商零件编号：
  NTMS4177PR2G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-4723
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET TK42A12N1,S4X(S, 88 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 64 ns,
• 制造商零件编号：
  TK42A12N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5148
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCP190N60, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 64 ns,
• 制造商零件编号：
  FCP190N60
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-5065
  
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• Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPD65R600E6, 7.3 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 64 ns,
• 制造商零件编号：
  IPD65R600E6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  823-5591
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 Si N沟道 MOSFET FCPF190N60, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 64 ns,
• 制造商零件编号：
  FCPF190N60
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-7913
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK42E12N1,S1X(S, 88 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 64 ns,
• 制造商零件编号：
  TK42E12N1,S1X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2385
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB034N06L3 G, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 64 ns,
• 制造商零件编号：
  IPB034N06L3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7419
  
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• Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPP65R600E6, 7.3 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 64 ns,
• 制造商零件编号：
  IPP65R600E6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7608
  
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• STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 Si MOSFET STB40NF10LT4, 40 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 64 ns,
• 制造商零件编号：
  STB40NF10LT4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5162
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFP4668PBF, 130 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 64 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFP4668PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7027
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 SPA03N60C3, 3.2 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 64 ns,
• 制造商零件编号：
  SPA03N60C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3138
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FCD380N60E, 10.2 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 64 ns,
• 制造商零件编号：
  FCD380N60E
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  774-1137
  
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• Panasonic SK 系列 Si N沟道 MOSFET SK8603150L, 89 A, Vds=30 V, 8引脚 HSO8-F4-B封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 64 ns,
• 制造商零件编号：
  SK8603150L
  品牌：
  Panasonic
  库存编号：
  787-7649
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD031N06L3G, 100 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 64 ns,
• 制造商零件编号：
  IPD031N06L3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9162
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPD03N60C3, 3.2 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 64 ns,
• 制造商零件编号：
  SPD03N60C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9389
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 Si N沟道 MOSFET FCP190N60_GF102, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 64 ns,
• 制造商零件编号：
  FCP190N60_GF102
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-7900
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK42A12N1,S4X(S, 42 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 64 ns,
• 制造商零件编号：
  TK42A12N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2381
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 N沟道 Si MOSFET STP40NF10L, 40 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 64 ns,
• 制造商零件编号：
  STP40NF10L
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  486-2290
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDMA1023PZ, 3.7 A, Vds=20 V, 6引脚 MLP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 64 ns,
• 制造商零件编号：
  FDMA1023PZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6213
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB015N04N G, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 64 ns,
• 制造商零件编号：
  IPB015N04N G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5418
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCP380N60E, 10.2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 64 ns,
• 制造商零件编号：
  FCP380N60E
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  772-9109
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCPF380N60E, 10.2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 64 ns,
• 制造商零件编号：
  FCPF380N60E
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  772-9115
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP015N04NGXKSA1, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 64 ns,
• 制造商零件编号：
  IPP015N04NGXKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6827
  
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