产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最高工作温度 +150 °C,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXM61N03FTA, 1.4 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最高工作温度 +150 °C,
制造商零件编号:
ZXM61N03FTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
154-964
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DiodesZetex P沟道 Si MOSFET ZXM62P02E6TA, 2.3 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最高工作温度 +150 °C,
制造商零件编号:
ZXM62P02E6TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
155-248
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Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP171P, 1.9 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最高工作温度 +150 °C,
制造商零件编号:
BSP171P
品牌:
Infineon
库存编号:
167-942
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Toshiba Si N沟道 MOSFET 晶体管 2SK2508(F), 13 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220NIS封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最高工作温度 +150 °C,
制造商零件编号:
2SK2508(F)
品牌:
Toshiba
库存编号:
185-625
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IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXTP36N30P, 36 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最高工作温度 +150 °C,
制造商零件编号:
IXTP36N30P
品牌:
IXYS
库存编号:
193-622
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IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN140N30P, 115 A, Vds=300 V, 4引脚 SOT-227B封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最高工作温度 +150 °C,
制造商零件编号:
IXFN140N30P
品牌:
IXYS
库存编号:
193-739
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IXYS HiperFET, Q-Class 系列 N沟道 MOSFET晶体管和二极管 IXFX30N100Q2, 30 A, Vds=1000 V, 3引脚 PLUS247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最高工作温度 +150 °C,
制造商零件编号:
IXFX30N100Q2
品牌:
IXYS
库存编号:
193-947
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IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFR44N80P, 25 A, Vds=800 V, 3引脚 ISOPLUS247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最高工作温度 +150 °C,
制造商零件编号:
IXFR44N80P
品牌:
IXYS
库存编号:
194-344
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IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXTP7N60P, 7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最高工作温度 +150 °C,
制造商零件编号:
IXTP7N60P
品牌:
IXYS
库存编号:
194-506
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IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH36N50P, 36 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AD封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最高工作温度 +150 °C,
制造商零件编号:
IXFH36N50P
品牌:
IXYS
库存编号:
194-546
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IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH44N50P, 44 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AD封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最高工作温度 +150 °C,
制造商零件编号:
IXFH44N50P
品牌:
IXYS
库存编号:
194-552
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STMicroelectronics STripFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET STS4DPF30L, 4 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最高工作温度 +150 °C,
制造商零件编号:
STS4DPF30L
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
248-861
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STMicroelectronics STripFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD5N20, 5 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最高工作温度 +150 °C,
制造商零件编号:
STD5N20
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
248-990
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NXP Si N沟道 MOSFET BSP100, 3.2 A, Vds=30 V, 4引脚 SC-73封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最高工作温度 +150 °C,
制造商零件编号:
BSP100
品牌:
NXP
库存编号:
261-606
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN2106GTA, 710 mA, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最高工作温度 +150 °C,
制造商零件编号:
ZVN2106GTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
274-992
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Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7503TRPBF, 2.4 A, Vds=30 V, 8引脚 MSOP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最高工作温度 +150 °C,
制造商零件编号:
IRF7503TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
300-290
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Infineon HEXFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET IRF7506TRPBF, 1.7 A, Vds=30 V, 8引脚 MSOP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最高工作温度 +150 °C,
制造商零件编号:
IRF7506TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
300-307
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7201PBF, 7.3 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最高工作温度 +150 °C,
制造商零件编号:
IRF7201PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
300-565
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Infineon HEXFET 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET IRF7509TRPBF, 2 A,2.7 A, Vds=30 V, 8引脚 MSOP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最高工作温度 +150 °C,
制造商零件编号:
IRF7509TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
301-192
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Vishay N沟道 Si MOSFET IRF840LCPBF, 8 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最高工作温度 +150 °C,
制造商零件编号:
IRF840LCPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
301-495
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRF5802TRPBF, 900 mA, Vds=150 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最高工作温度 +150 °C,
制造商零件编号:
IRF5802TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
301-647
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRF7607TRPBF, 6.5 A, Vds=20 V, 8引脚 MSOP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最高工作温度 +150 °C,
制造商零件编号:
IRF7607TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
301-776
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLML2402TRPBF, 1.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最高工作温度 +150 °C,
制造商零件编号:
IRLML2402TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
302-016
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLML5103TRPBF, 760 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最高工作温度 +150 °C,
制造商零件编号:
IRLML5103TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
302-038
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Toshiba Si N沟道 MOSFET 2SK3176(F), 30 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最高工作温度 +150 °C,
制造商零件编号:
2SK3176(F)
品牌:
Toshiba
库存编号:
415-247
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