产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大栅源电压 ±6 V,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
NXP N沟道 MOSFET 四极管 BF998, 30 mA, Vds=12 V, 4引脚 SC-61B封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大栅源电压 ±6 V,
制造商零件编号:
BF998
品牌:
NXP
库存编号:
509-289
搜索
ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NTA4153NT1G, 915 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-416封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大栅源电压 ±6 V,
制造商零件编号:
NTA4153NT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
773-7872
搜索
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTA4151PT1G, 760 mA, Vds=20 V, 3引脚 SC-75封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大栅源电压 ±6 V,
制造商零件编号:
NTA4151PT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0504
搜索
ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET NTE4151PT1G, 760 mA, Vds=20 V, 3引脚 SC-89封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大栅源电压 ±6 V,
制造商零件编号:
NTE4151PT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0554
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTK3134NT1G, 990 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-723封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大栅源电压 ±6 V,
制造商零件编号:
NTK3134NT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0649
搜索
ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NVE4153NT1G, 915 mA, Vds=20 V, 3引脚 SC-89封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大栅源电压 ±6 V,
制造商零件编号:
NVE4153NT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
867-3280
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DiodesZetex N沟道 Si MOSFET DMG1012UW-7, 1 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-323封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大栅源电压 ±6 V,
制造商零件编号:
DMG1012UW-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-4073
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DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMG1013T-7, 460 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-523封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大栅源电压 ±6 V,
制造商零件编号:
DMG1013T-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-4076
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ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET NTK3139PT1G, 870 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-723封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大栅源电压 ±6 V,
制造商零件编号:
NTK3139PT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0642
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ON Semiconductor 双 P沟道 Si MOSFET NTZD3152PT1G, 430 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-563封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大栅源电压 ±6 V,
制造商零件编号:
NTZD3152PT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-4795
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Vishay N沟道 Si MOSFET SI1032X-T1-GE3, 200 mA, Vds=20 V, 3引脚 SC-75A封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大栅源电压 ±6 V,
制造商零件编号:
SI1032X-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3031
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Vishay P沟道 Si MOSFET SI1031R-T1-GE3, 100 mA, Vds=20 V, 3引脚 SC-75A封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大栅源电压 ±6 V,
制造商零件编号:
SI1031R-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3038
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DiodesZetex 双 Si P沟道 MOSFET DMG1023UV-7, 680 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-563封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大栅源电压 ±6 V,
制造商零件编号:
DMG1023UV-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
822-2517
查看其他仓库
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTA4153NT1G, 915 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-416封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大栅源电压 ±6 V,
制造商零件编号:
NTA4153NT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
103-5120
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMG1012T-7, 630 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-523封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大栅源电压 ±6 V,
制造商零件编号:
DMG1012T-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-4064
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ON Semiconductor 双 N沟道 Si MOSFET NTZD5110NT1G, 310 mA, Vds=60 V, 6引脚 SOT-563封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大栅源电压 ±6 V,
制造商零件编号:
NTZD5110NT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-4802
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NXP Si N沟道 MOSFET BF996S,215, 30 mA, Vds=20 V, 4引脚 SOT-143封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大栅源电压 ±6 V,
制造商零件编号:
BF996S,215
品牌:
NXP
库存编号:
626-2456
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DiodesZetex N沟道 MOSFET 晶体管 DMN2500UFB4-7, 1 A, Vds=20 V, 3引脚 X2-DFN1006封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大栅源电压 ±6 V,
制造商零件编号:
DMN2500UFB4-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
770-5125
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ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NTE4153NT1G, 915 mA, Vds=20 V, 3引脚 SC-89封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大栅源电压 ±6 V,
制造商零件编号:
NTE4153NT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0557
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ON Semiconductor 双 N/P沟道 Si MOSFET NTZD3155CT1G, 450 mA,570 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-563封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大栅源电压 ±6 V,
制造商零件编号:
NTZD3155CT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-4809
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI1032R-T1-GE3, 200 mA, Vds=20 V, 3引脚 SC-75A封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大栅源电压 ±6 V,
制造商零件编号:
SI1032R-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9024
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN1150UFB-7B, 1.4 A, Vds=12 V, 3引脚 X1-DFN1006封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大栅源电压 ±6 V,
制造商零件编号:
DMN1150UFB-7B
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
790-4583
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DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET DMG1024UV-7, 1.38 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-563封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大栅源电压 ±6 V,
制造商零件编号:
DMG1024UV-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
822-2510
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DiodesZetex 双 N/P沟道 Si MOSFET DMC2700UDM-7, 1 A,1.34 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-26封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大栅源电压 ±6 V,
制造商零件编号:
DMC2700UDM-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
823-2918
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DiodesZetex N沟道 Si MOSFET DMG1012T-7, 630 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-523封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大栅源电压 ±6 V,
制造商零件编号:
DMG1012T-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
922-8367
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