产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大栅源电压 ±20 V,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXM61N03FTA, 1.4 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大栅源电压 ±20 V,
制造商零件编号:
ZXM61N03FTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
154-964
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Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP171P, 1.9 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大栅源电压 ±20 V,
制造商零件编号:
BSP171P
品牌:
Infineon
库存编号:
167-942
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Toshiba Si N沟道 MOSFET 晶体管 2SK2508(F), 13 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220NIS封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大栅源电压 ±20 V,
制造商零件编号:
2SK2508(F)
品牌:
Toshiba
库存编号:
185-625
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IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH96N20P, 96 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大栅源电压 ±20 V,
制造商零件编号:
IXFH96N20P
品牌:
IXYS
库存编号:
193-442
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IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN140N30P, 115 A, Vds=300 V, 4引脚 SOT-227B封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大栅源电压 ±20 V,
制造商零件编号:
IXFN140N30P
品牌:
IXYS
库存编号:
193-739
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STMicroelectronics STripFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD5N20, 5 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大栅源电压 ±20 V,
制造商零件编号:
STD5N20
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
248-990
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NXP Si N沟道 MOSFET BSP100, 3.2 A, Vds=30 V, 4引脚 SC-73封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大栅源电压 ±20 V,
制造商零件编号:
BSP100
品牌:
NXP
库存编号:
261-606
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN2106GTA, 710 mA, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大栅源电压 ±20 V,
制造商零件编号:
ZVN2106GTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
274-992
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Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7503TRPBF, 2.4 A, Vds=30 V, 8引脚 MSOP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大栅源电压 ±20 V,
制造商零件编号:
IRF7503TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
300-290
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Infineon HEXFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET IRF7506TRPBF, 1.7 A, Vds=30 V, 8引脚 MSOP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大栅源电压 ±20 V,
制造商零件编号:
IRF7506TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
300-307
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7201PBF, 7.3 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大栅源电压 ±20 V,
制造商零件编号:
IRF7201PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
300-565
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Infineon HEXFET 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET IRF7509TRPBF, 2 A,2.7 A, Vds=30 V, 8引脚 MSOP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大栅源电压 ±20 V,
制造商零件编号:
IRF7509TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
301-192
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9Z34SPBF, 18 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大栅源电压 ±20 V,
制造商零件编号:
IRF9Z34SPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
301-221
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLML5103TRPBF, 760 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大栅源电压 ±20 V,
制造商零件编号:
IRLML5103TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
302-038
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Toshiba Si N沟道 MOSFET 2SK3176(F), 30 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大栅源电压 ±20 V,
制造商零件编号:
2SK3176(F)
品牌:
Toshiba
库存编号:
415-247
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Toshiba P沟道 MOSFET 晶体管 TPC6108(TE85L,F), 4.5 A, Vds=30 V, 6引脚 VS封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大栅源电压 ±20 V,
制造商零件编号:
TPC6108(TE85L,F)
品牌:
Toshiba
库存编号:
415-336
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Toshiba Si P沟道 MOSFET TPCA8107-H(TE12L,Q,M), 7.5 A, Vds=40 V, 8引脚 SOP 高级封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大栅源电压 ±20 V,
制造商零件编号:
TPCA8107-H(TE12L,Q,M)
品牌:
Toshiba
库存编号:
415-427
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3206PBF, 210 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大栅源电压 ±20 V,
制造商零件编号:
IRFB3206PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
495-574
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS4310ZPBF, 127 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大栅源电压 ±20 V,
制造商零件编号:
IRFS4310ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
495-821
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF8707PBF, 11 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大栅源电压 ±20 V,
制造商零件编号:
IRF8707PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
495-871
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Nexperia Si N沟道 MOSFET BSH114,215, 850 mA, Vds=100 V, 3引脚 TO-236AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大栅源电压 ±20 V,
制造商零件编号:
BSH114,215
品牌:
Nexperia
库存编号:
508-539
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Nexperia Si N沟道 MOSFET PH8230E,115, 67 A, Vds=30 V, 5引脚 LFPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大栅源电压 ±20 V,
制造商零件编号:
PH8230E,115
品牌:
Nexperia
库存编号:
509-150
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STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STH310N10F7-6, 180 A, Vds=100 V, 7引脚 H2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大栅源电压 ±20 V,
制造商零件编号:
STH310N10F7-6
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
103-2006
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET MMBF170LT1G, 500 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大栅源电压 ±20 V,
制造商零件编号:
MMBF170LT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
103-2947
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTTFS5820NLTAG, 37 A, Vds=60 V, 8引脚 WDFN封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大栅源电压 ±20 V,
制造商零件编号:
NTTFS5820NLTAG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
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