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• Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPD042P03L3GATMA1, 70 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 6.8 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPD042P03L3GATMA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9051
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF8736TRPBF, 18 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 6.8 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF8736TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3919
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9310TRPBF, 20 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 6.8 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF9310TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-4773
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPD90P03P4L-04, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 6.8 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPD90P03P4L-04
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3033
  
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• Infineon P沟道 MOSFET 晶体管 IPD042P03L3 G, 70 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 6.8 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPD042P03L3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  823-5579
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9310TRPBF, 20 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 6.8 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF9310TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3912
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPP80N08S2L-07, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 6.8 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP80N08S2L-07
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-7000
  
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