产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 6.8 mΩ,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPD042P03L3GATMA1, 70 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 6.8 mΩ,
制造商零件编号:
IPD042P03L3GATMA1
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9051
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF8736TRPBF, 18 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 6.8 mΩ,
制造商零件编号:
IRF8736TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3919
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Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQD50N04-4M5L-GE3, 50 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252AA封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 6.8 mΩ,
制造商零件编号:
SQD50N04-4M5L-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-4359
搜索
Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS8027S, 70 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 6.8 mΩ,
制造商零件编号:
FDMS8027S
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-4841
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Nexperia Si N沟道 MOSFET PSMN7R0-100XS, 55 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 6.8 mΩ,
制造商零件编号:
PSMN7R0-100XS
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-3016
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9310TRPBF, 20 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 6.8 mΩ,
制造商零件编号:
IRF9310TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-4773
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International Rectifier HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH7936TR2PBF, 20 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 6.8 mΩ,
制造商零件编号:
IRFH7936TR2PBF
品牌:
International Rectifier
库存编号:
737-7290
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPD90P03P4L-04, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 6.8 mΩ,
制造商零件编号:
IPD90P03P4L-04
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3033
搜索
Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQD50N04-4M5L-GE3, 50 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252AA封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 6.8 mΩ,
制造商零件编号:
SQD50N04-4M5L-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
819-3942
搜索
Infineon P沟道 MOSFET 晶体管 IPD042P03L3 G, 70 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 6.8 mΩ,
制造商零件编号:
IPD042P03L3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
823-5579
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9310TRPBF, 20 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 6.8 mΩ,
制造商零件编号:
IRF9310TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3912
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPP80N08S2L-07, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 6.8 mΩ,
制造商零件编号:
IPP80N08S2L-07
品牌:
Infineon
库存编号:
857-7000
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MagnaChip Si N沟道 MOSFET MDD1503RH, 87 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 6.8 mΩ,
制造商零件编号:
MDD1503RH
品牌:
MagnaChip
库存编号:
871-4899
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