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• ON Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET EFC4615R-TR, 6 A, Vds=24 V, 4引脚 EFCP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 0.031 Ω,
• 制造商零件编号：
  EFC4615R-TR
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-0875
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS6990A, 7.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 0.031 Ω,
• 制造商零件编号：
  FDS6990A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  903-4194
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS6990A, 7.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 0.031 Ω,
• 制造商零件编号：
  FDS6990A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  917-5493
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SUD23N06-31-GE3, 23 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 0.031 Ω,
• 制造商零件编号：
  SUD23N06-31-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  636-5397
  
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• Infineon DirectFET, HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF7647S2TR1, 24 A, Vds=100 V, 7引脚 DirectFET SB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 0.031 Ω,
• 制造商零件编号：
  AUIRF7647S2TR1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7506
  
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