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• Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI9933CDY-T1-GE3, 4 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 58 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI9933CDY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3395
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD26AN06A0_F085, 36 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 58 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDD26AN06A0_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8067
  
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• Infineon 双 Si P沟道 MOSFET 晶体管 IRF7316PBF, 4.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 58 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7316PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  300-616
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET IRF7314PBF, 5.3 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 58 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7314PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-0294
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD6630A, 21 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 58 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDD6630A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9099
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH5215TR2PBF, 27 A, Vds=150 V, 8引脚 PQFN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 58 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFH5215TR2PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  760-4365
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFL024ZPBF, 5.1 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 58 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFL024ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4306
  
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• Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI4900DY-T1-GE3, 4.3 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 58 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI4900DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3364
  
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