产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 5.8 mΩ,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD18531Q5A, 134 A, Vds=60 V, 8引脚 SON封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 5.8 mΩ,
制造商零件编号:
CSD18531Q5A
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4886
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NXP Si N沟道 MOSFET PSMN4R3-30BL, 100 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 5.8 mΩ,
制造商零件编号:
PSMN4R3-30BL
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2968
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC0310AS_F127, 19 A, 21 A, Vds=30 V, 8引脚 MLP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 5.8 mΩ,
制造商零件编号:
FDMC0310AS_F127
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8180
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86300, 122 A, Vds=80 V, 8引脚 Power 56封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 5.8 mΩ,
制造商零件编号:
FDMS86300
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9633
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NXP Si N沟道 MOSFET PSMN3R5-80PS, 120 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 5.8 mΩ,
制造商零件编号:
PSMN3R5-80PS
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2952
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Vishay Si N沟道 MOSFET SIR496DP-T1-GE3, 26 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 5.8 mΩ,
制造商零件编号:
SIR496DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
814-1285
搜索
NXP Si N沟道 MOSFET PSMN3R5-80PS, 120 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 5.8 mΩ,
制造商零件编号:
PSMN3R5-80PS
品牌:
Nexperia
库存编号:
103-8123
搜索
Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMC8026S, 76 A, Vds=30 V, 8引脚 MLP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 5.8 mΩ,
制造商零件编号:
FDMC8026S
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9544
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFS3307Z, 120 A,128 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 5.8 mΩ,
制造商零件编号:
AUIRFS3307Z
品牌:
Infineon
库存编号:
784-9183
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STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP80N6F6, 110 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 5.8 mΩ,
制造商零件编号:
STP80N6F6
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
792-6101
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86300, 80 A, Vds=80 V, 8引脚 Power 56封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 5.8 mΩ,
制造商零件编号:
FDMS86300
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-4728
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