产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 450 mΩ,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDV303N, 680 mA, Vds=25 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 450 mΩ,
制造商零件编号:
FDV303N
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
354-4890
查看其他仓库
DiodesZetex N沟道 MOSFET ZXMN10A11KTC, 3.5 A, Vds=100 V, 4引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 450 mΩ,
制造商零件编号:
ZXMN10A11KTC
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
708-2602
查看其他仓库
DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZXMP10A17E6TA, 1.6 A, Vds=100 V, 6引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 450 mΩ,
制造商零件编号:
ZXMP10A17E6TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
708-2630
搜索
DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP3030SN-7, 700 mA, Vds=30 V, 3引脚 SC-59封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 450 mΩ,
制造商零件编号:
DMP3030SN-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-4269
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STB11NM60T4, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 450 mΩ,
制造商零件编号:
STB11NM60T4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9474
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STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STP13N80K5, 12 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 450 mΩ,
制造商零件编号:
STP13N80K5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-7807
搜索
STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STB13N80K5, 12 A, Vds=800 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 450 mΩ,
制造商零件编号:
STB13N80K5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
792-5704
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Toshiba Si N沟道 MOSFET 晶体管 TK10A60W5,S5VX(M, 9.7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 450 mΩ,
制造商零件编号:
TK10A60W5,S5VX(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-4993
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Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPA60R450E6, 9.2 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 450 mΩ,
制造商零件编号:
IPA60R450E6
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8605
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFB13N50APBF, 14 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 450 mΩ,
制造商零件编号:
IRFB13N50APBF
品牌:
Vishay
库存编号:
918-9856
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STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STB13N80K5, 12 A, Vds=800 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 450 mΩ,
制造商零件编号:
STB13N80K5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-6614
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN6A07FTA, 1.2 A, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 450 mΩ,
制造商零件编号:
ZXMN6A07FTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
155-147
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP11N80C3, 11 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 450 mΩ,
制造商零件编号:
SPP11N80C3
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3190
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STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP11NM60ND, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 450 mΩ,
制造商零件编号:
STP11NM60ND
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9982
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STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STF11NM60ND, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 450 mΩ,
制造商零件编号:
STF11NM60ND
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-2745
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STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STF13N80K5, 12 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 450 mΩ,
制造商零件编号:
STF13N80K5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-9311
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Vishay Si N沟道 MOSFET SIHF634S-GE3, 8.1 A, Vds=250 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 450 mΩ,
制造商零件编号:
SIHF634S-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2632
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK10A60W5,S5VX(M, 9.7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 450 mΩ,
制造商零件编号:
TK10A60W5,S5VX(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
891-2863
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN6A07FTA, 1.2 A, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 450 mΩ,
制造商零件编号:
ZXMN6A07FTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
922-7651
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA11N80C3, 11 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 450 mΩ,
制造商零件编号:
SPA11N80C3
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8476
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STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STD11NM60ND, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 450 mΩ,
制造商零件编号:
STD11NM60ND
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9884
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DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZXMP10A17E6TA, 1.6 A, Vds=100 V, 6引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 450 mΩ,
制造商零件编号:
ZXMP10A17E6TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
922-8024
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Fairchild Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET FDC6303N, 680 mA, Vds=25 V, 6引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 450 mΩ,
制造商零件编号:
FDC6303N
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
354-4941
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRF634PBF, 8.1 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 450 mΩ,
制造商零件编号:
IRF634PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9282
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN10A11GTA, 2.4 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 450 mΩ,
制造商零件编号:
ZXMN10A11GTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
708-2494
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