以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH8318TR2PBF, 120 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 4.6 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFH8318TR2PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  760-4378
  
• 
  查看其他仓库

• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN4R5-40PS, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 4.6 mΩ,
• 制造商零件编号：
  PSMN4R5-40PS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-2978
  
• 
  搜索

• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPI80N04S4-04, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 4.6 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPI80N04S4-04
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6763
  
• 
  搜索

• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP80N04S4-04, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 4.6 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP80N04S4-04
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6974
  
• 
  搜索

• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17505Q5A, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 4.6 mΩ,
• 制造商零件编号：
  CSD17505Q5A
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  730-0543
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFN8401TR, 84 A, Vds=40 V, 8引脚 PQFN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 4.6 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRFN8401TR
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  872-4145
  
• 
  查看其他仓库