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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH5106TR2PBF, 100 A, Vds=60 V, 8引脚 PQFN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 5.6 MΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFH5106TR2PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  715-7787
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN4R0-40YS, 100 A, Vds=40 V, 4引脚 SOT-669封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 5.6 MΩ,
• 制造商零件编号：
  PSMN4R0-40YS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-2965
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN5R6-100PS, 100 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 5.6 MΩ,
• 制造商零件编号：
  PSMN5R6-100PS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-3003
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16413Q5A, 100 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 5.6 MΩ,
• 制造商零件编号：
  CSD16413Q5A
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4798
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ040N04LS G, 40 A, Vds=40 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 5.6 MΩ,
• 制造商零件编号：
  BSZ040N04LS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5351
  
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