产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 8 mΩ,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Nexperia Si N沟道 MOSFET PH8230E,115, 67 A, Vds=30 V, 5引脚 LFPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 8 mΩ,
制造商零件编号:
PH8230E,115
品牌:
Nexperia
库存编号:
509-150
搜索
NXP N沟道 Si MOSFET BUK9608-55, 75 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 8 mΩ,
制造商零件编号:
BUK9608-55
品牌:
Nexperia
库存编号:
103-8043
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3205SPBF, 110 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 8 mΩ,
制造商零件编号:
IRF3205SPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
542-9210
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFI3205PBF, 64 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 8 mΩ,
制造商零件编号:
IRFI3205PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
542-9608
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRF7458PBF, 14 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 8 mΩ,
制造商零件编号:
IRF7458PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-1106
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7455PBF, 15 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 8 mΩ,
制造商零件编号:
IRF7455PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-1336
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Infineon LogicFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL2505PBF, 104 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 8 mΩ,
制造商零件编号:
IRL2505PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-1544
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1010ZPBF, 94 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 8 mΩ,
制造商零件编号:
IRF1010ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-3690
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7425PBF, 15 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 8 mΩ,
制造商零件编号:
IRF7425PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-3943
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR3705ZPBF, 89 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 8 mΩ,
制造商零件编号:
IRLR3705ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4558
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Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET FDS6673BZ, 14.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 8 mΩ,
制造商零件编号:
FDS6673BZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0595
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFU1018EPBF, 79 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 8 mΩ,
制造商零件编号:
IRFU1018EPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7115
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRL3705ZPBF, 86 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 8 mΩ,
制造商零件编号:
IRL3705ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7175
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRLR8721PBF, 65 A, Vds=30 V, 3引脚 D-PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 8 mΩ,
制造商零件编号:
IRLR8721PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7241
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFP064N, 110 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 8 mΩ,
制造商零件编号:
AUIRFP064N
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1816
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD4906N-35G, 54 A, Vds=30 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 8 mΩ,
制造商零件编号:
NTD4906N-35G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-4051
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Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET HUF75344P3, 75 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 8 mΩ,
制造商零件编号:
HUF75344P3
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-6689
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Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET HUF75652G3, 75 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 8 mΩ,
制造商零件编号:
HUF75652G3
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-8705
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Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQM120N06-3m5L_GE3, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 8 mΩ,
制造商零件编号:
SQM120N06-3m5L_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
819-3945
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH7787TRPBF, 68 A, Vds=75 V, 8引脚 PQFN封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 8 mΩ,
制造商零件编号:
IRFH7787TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
872-4183
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7455PBF, 15 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 8 mΩ,
制造商零件编号:
IRF7455PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3853
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR8726TRPBF, 86 A, Vds=30 V, 3针+焊片 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 8 mΩ,
制造商零件编号:
IRLR8726TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
915-5115
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Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SUM110P06-08L-E3, 110 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 8 mΩ,
制造商零件编号:
SUM110P06-08L-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-5740
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STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STD100N10F7, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 8 mΩ,
制造商零件编号:
STD100N10F7
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
103-2005
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP064NPBF, 110 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 8 mΩ,
制造商零件编号:
IRFP064NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-0008
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