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• Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPI80P04P4-05, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 5.2 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPI80P04P4-05
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6808
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP052NE7N3GHKSA1, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 5.2 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP052NE7N3GHKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6845
  
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• Infineon P沟道 MOSFET 晶体管 IPP80P04P4-05, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 5.2 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP80P04P4-05
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-7012
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR6225PBF, 100 A, Vds=20 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 5.2 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLR6225PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7293
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD031N06L3G, 100 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 5.2 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPD031N06L3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9162
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPI120P04P4L-03, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 5.2 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPI120P04P4L-03
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4672
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET IPP120P04P4L-03, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 5.2 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP120P04P4L-03
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6883
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD86540, 50 A, 136 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 5.2 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDD86540
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  772-9133
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH7185TRPBF, 123 A, Vds=100 V, 8引脚 PQFN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 5.2 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFH7185TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  872-4186
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP039N04L G, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 5.2 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP039N04L G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2330
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR6225TRPBF, 100 A, Vds=20 V, 3针+焊片 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 5.2 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLR6225TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  915-5102
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI4654DY-T1-GE3, 28 A, Vds=25 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 5.2 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI4654DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3246
  
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