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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP140NPBF, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 52 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFP140NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-1269
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFI540NPBF, 20 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 52 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFI540NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-2470
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQB33N10LTM, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 52 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FQB33N10LTM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0885
  
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• Vishay 双 Si N沟道 MOSFET 晶体管 SI4946BEY-T1-E3, 6.5 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 52 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI4946BEY-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-4755
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC520N15NS3 G, 21 A, Vds=150 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 52 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSC520N15NS3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5323
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ520N15NS3 G, 21 A, Vds=150 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 52 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSZ520N15NS3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5389
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP33N10, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 52 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FQP33N10
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5095
  
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• Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI4946BEY-T1-GE3, 6.5 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 52 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI4946BEY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9027
  
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• Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI4946BEY-T1-GE3, 6.5 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 52 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI4946BEY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4195
  
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• Vishay 双 Si N沟道 MOSFET 晶体管 SI4946BEY-T1-E3, 6.5 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 52 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI4946BEY-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-5655
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN304P, 2.4 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 52 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDN304P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0403
  
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• ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET NTHS4101PT1G, 6.7 A, Vds=20 V, 8引脚 ChipFET封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 52 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTHS4101PT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0595
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP140NPBF, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 52 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFP140NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4902
  
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• Vishay 双 N沟道 MOSFET 晶体管 SI4946BEY-T1-GE3, 6.5 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 52 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI4946BEY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-5889
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQB33N10TM, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 52 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FQB33N10TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0889
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI4620DY-T1-GE3, 7.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 52 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI4620DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3237
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si P沟道 MOSFET SQ4431EY-T1_GE3, 6.2 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 52 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SQ4431EY-T1_GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  819-3920
  
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• Vishay 双 Si N沟道 MOSFET 晶体管 SI4946BEY-T1-E3, 6.5 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 52 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI4946BEY-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-0837
  
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