产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 4.4 mΩ,
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
>
分立半导体
>
MOSFET 晶体管
筛选品牌
Fairchild Semiconductor (1)
Infineon (3)
IXYS (1)
MagnaChip (1)
Texas Instruments (1)
Toshiba (3)
Vishay (1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD031N03L G, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 4.4 mΩ,
制造商零件编号:
IPD031N03L G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5446
搜索
Vishay 双 N沟道 MOSFET 晶体管 SISA12DN-T1-GE3, 22 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 4.4 mΩ,
制造商零件编号:
SISA12DN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9402
查看其他仓库
IXYS GigaMOS, HiperFET 系列 N沟道 Si MOSFET MMIX1F360N15T2, 235 A, Vds=150 V, 24引脚 SMPD封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 4.4 mΩ,
制造商零件编号:
MMIX1F360N15T2
品牌:
IXYS
库存编号:
875-2493
查看其他仓库
Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD19535KCS, 187 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 4.4 mΩ,
制造商零件编号:
CSD19535KCS
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4915
搜索
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK72E12N1,S1X(S, 72 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 4.4 mΩ,
制造商零件编号:
TK72E12N1,S1X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6277
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB025N10N3 G, 180 A, Vds=100 V, 7引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 4.4 mΩ,
制造商零件编号:
IPB025N10N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5421
搜索
Toshiba Si N沟道 MOSFET TK72E12N1,S1X(S, 179 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 4.4 mΩ,
制造商零件编号:
TK72E12N1,S1X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5208
搜索
Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET IPP029N06N, 100 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 4.4 mΩ,
制造商零件编号:
IPP029N06N
品牌:
Infineon
库存编号:
823-5627
搜索
MagnaChip Si N沟道 MOSFET MDU1517RH, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerDFN56封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 4.4 mΩ,
制造商零件编号:
MDU1517RH
品牌:
MagnaChip
库存编号:
871-5016
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP8440, 100 A,277 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 4.4 mΩ,
制造商零件编号:
FDP8440
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3579
搜索
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK72E12N1,S1X(S, 72 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 4.4 mΩ,
制造商零件编号:
TK72E12N1,S1X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2436
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号