产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 420 mΩ,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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ROHM N沟道 Si MOSFET R6012ANX, 12 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FM封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 420 mΩ,
制造商零件编号:
R6012ANX
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7539
搜索
Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 Si MOSFET IPI65R420CFD, 8.7 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 420 mΩ,
制造商零件编号:
IPI65R420CFD
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6726
搜索
Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 Si MOSFET IPP65R420CFDXKSA1, 8.7 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 420 mΩ,
制造商零件编号:
IPP65R420CFDXKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6946
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Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 Si MOSFET IPW65R420CFD, 8.7 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 420 mΩ,
制造商零件编号:
IPW65R420CFD
品牌:
Infineon
库存编号:
857-7148
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STW16NK60Z, 14 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 420 mΩ,
制造商零件编号:
STW16NK60Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0275
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Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 Si MOSFET IPA65R420CFD, 8.7 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 420 mΩ,
制造商零件编号:
IPA65R420CFD
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7523
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Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 Si MOSFET IPB65R420CFD, 8.7 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 420 mΩ,
制造商零件编号:
IPB65R420CFD
品牌:
Infineon
库存编号:
906-2959
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP16NK60Z, 14 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 420 mΩ,
制造商零件编号:
STP16NK60Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0033
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDDP010N25AZ-1H, 10 A, Vds=250 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 420 mΩ,
制造商零件编号:
NDDP010N25AZ-1H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
867-3053
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