产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 850 mΩ,
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15.75 x 5.15 x 20.15mm(1)
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D2PAK(4)
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Vishay N沟道 Si MOSFET IRF840LCPBF, 8 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 850 mΩ,
制造商零件编号:
IRF840LCPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
301-495
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STB9NK50ZT4, 7.2 A, Vds=500 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 850 mΩ,
制造商零件编号:
STB9NK50ZT4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5184
搜索
ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NDF08N50ZG, 7.5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 850 mΩ,
制造商零件编号:
NDF08N50ZG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2828
搜索
STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD7N52K3, 6 A, Vds=525 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 850 mΩ,
制造商零件编号:
STD7N52K3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9604
搜索
STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 Si MOSFET 晶体管 STW13N95K3, 10 A, Vds=950 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 850 mΩ,
制造商零件编号:
STW13N95K3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9777
搜索
STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STF7N52K3, 6 A, Vds=525 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 850 mΩ,
制造商零件编号:
STF7N52K3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0483
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP9NK50ZFP, 7.2 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 850 mΩ,
制造商零件编号:
STP9NK50ZFP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-8701
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP9NK50Z, 7.2 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 850 mΩ,
制造商零件编号:
STP9NK50Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-8708
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP9NK50ZFP, 7.2 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 850 mΩ,
制造商零件编号:
STP9NK50ZFP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
486-2379
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFI840GPBF, 4.6 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 850 mΩ,
制造商零件编号:
IRFI840GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
540-8279
搜索
Vishay N沟道 MOSFET IRF840PBF, 8 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 850 mΩ,
制造商零件编号:
IRF840PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0036
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFP440PBF, 8.8 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 850 mΩ,
制造商零件编号:
IRFP440PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9989
搜索
Vishay N沟道 Si MOSFET IRF840ASPBF, 8 A, Vds=500 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 850 mΩ,
制造商零件编号:
IRF840ASPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-5146
搜索
Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDD8N50NZTM, 6.9 A, Vds=500 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 850 mΩ,
制造商零件编号:
FDD8N50NZTM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-6187
搜索
NXP Si P沟道 MOSFET PMR670UPE, 480 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-416封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 850 mΩ,
制造商零件编号:
PMR670UPE
品牌:
NXP
库存编号:
798-2776
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP10NK70ZFP, 8.6 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 850 mΩ,
制造商零件编号:
STP10NK70ZFP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-8846
搜索
Vishay N沟道 Si MOSFET IRFI840GLCPBF, 4.5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 850 mΩ,
制造商零件编号:
IRFI840GLCPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
543-2474
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRF840SPBF, 8 A, Vds=500 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 850 mΩ,
制造商零件编号:
IRF840SPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-4752
搜索
Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDP8N50NZ, 8 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 850 mΩ,
制造商零件编号:
FDP8N50NZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-4879
搜索
STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 Si MOSFET STP13N95K3, 10 A, Vds=950 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 850 mΩ,
制造商零件编号:
STP13N95K3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9651
搜索
STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 Si N沟道 MOSFET STP7N52K3, 6 A, Vds=525 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 850 mΩ,
制造商零件编号:
STP7N52K3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0162
搜索
Vishay D Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHF8N50D-E3, 8.7 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 850 mΩ,
制造商零件编号:
SIHF8N50D-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9162
搜索
Vishay D Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHP8N50D-GE3, 8.7 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 850 mΩ,
制造商零件编号:
SIHP8N50D-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9181
搜索
Nexperia P沟道 Si MOSFET PMZB670UPE, 680 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-883B封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 850 mΩ,
制造商零件编号:
PMZB670UPE
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2817
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQPF9N50CF, 9 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 850 mΩ,
制造商零件编号:
FQPF9N50CF
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-5910
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