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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLML5103TRPBF, 760 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 600 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLML5103TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  302-038
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRFD9120PBF, 1 A, Vds=100 V, 4引脚 HVMDIP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 600 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFD9120PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-0553
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCP7N60, 7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 600 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FCP7N60
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4755
  
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• DiodesZetex IntelliFET 系列 双 N沟道 Si MOSFET ZXMS6004DT8TA, 1.2 A, Vds=60 V, 8引脚 SM封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 600 mΩ,
• 制造商零件编号：
  ZXMS6004DT8TA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  738-5200
  
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• STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STD10NM60ND, 8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 600 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STD10NM60ND
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9534
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 Si N沟道 MOSFET FCPF600N60Z, 7.4 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 600 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FCPF600N60Z
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  774-1127
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCP600N60Z, 7.4 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 600 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FCP600N60Z
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  774-1149
  
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• Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHP10N40D-GE3, 10 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 600 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SIHP10N40D-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9171
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 Si N沟道 MOSFET STB10N60M2, 7.5 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 600 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STB10N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  792-5690
  
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• Toshiba N沟道 Si MOSFET 晶体管 TK7A60W,S4VX(M, 7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 600 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK7A60W,S4VX(M
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5201
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPP08N50C3XKSA1, 7.6 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 600 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SPP08N50C3XKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8794
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP07N65C3XKSA1, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 600 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SPP07N65C3XKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8797
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLML5103GTRPBF, 760 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 600 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLML5103GTRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  864-1012
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCD7N60TM_WS, 7 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 600 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FCD7N60TM_WS
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  865-1255
  
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• Infineon CoolMOS P6 系列 N沟道 Si MOSFET IPD60R600P6, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 600 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPD60R600P6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7298
  
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• Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPD60R600E6, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 600 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPD60R600E6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7330
  
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• Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPP65R600E6, 7.3 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 600 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP65R600E6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7608
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLML5103TRPBF, 760 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 600 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLML5103TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4744
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPC50PBF, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 600 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFPC50PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9838
  
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• Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 IRF9520SPBF, 6.8 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 600 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF9520SPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  650-4154
  
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• Infineon 双 Si N沟道 MOSFET 晶体管 IRFI4024H-117P, 11 A, Vds=55 V, 5引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 600 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFI4024H-117P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  700-3214
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STP8N65M5, 7 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 600 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP8N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9727
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STD8N65M5, 7 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 600 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STD8N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0421
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STF10N60M2, 7.5 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 600 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STF10N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  786-3637
  
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• Vishay D Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHF10N40D-E3, 10 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 600 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SIHF10N40D-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9156
  
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