以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQAF16N50, 11.3 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-3PF封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 320 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FQAF16N50
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4991
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STF14NM50N, 12 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 320 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STF14NM50N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-2754
  
• 
  搜索

• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFK32N100Q3, 32 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-264封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 320 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IXFK32N100Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  801-1409
  
• 
  查看其他仓库

• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXFN32N100Q3, 28 A, Vds=1000 V, 4引脚 SOT-227B封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 320 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IXFN32N100Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  804-7574
  
• 
  查看其他仓库

• IXYS HiperFET, Q-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFK27N80Q, 27 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-264AA封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 320 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IXFK27N80Q
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  920-0874
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP14NM50N, 12 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 320 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP14NM50N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0011
  
• 
  搜索

• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFX32N100Q3, 32 A, Vds=1000 V, 3引脚 PLUS247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 320 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IXFX32N100Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  801-1487
  
• 
  搜索

• Vishay ThunderFET 系列 Si N沟道 MOSFET SI1480DH-T1-GE3, 2.6 A, Vds=100 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 320 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI1480DH-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3085
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STP16N60M2, 12 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 320 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP16N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  906-2861
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD14NM50N, 12 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 320 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STD14NM50N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9547
  
• 
  查看其他仓库

• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STD16N60M2, 12 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 320 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STD16N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  876-5632
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STU16N60M2, 12 A, Vds=600 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 320 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STU16N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  906-2877
  
• 
  搜索

• IXYS HiperFET, Q-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFK27N80Q, 27 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-264AA封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 320 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IXFK27N80Q
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  711-5382
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB14NM50N, 12 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 320 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STB14NM50N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9815
  
• 
  查看其他仓库

• ON Semiconductor 双 N/P沟道 Si MOSFET NTJD1155LT1G, 1.3 A, Vds=8 V, 6引脚 SC-88封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 320 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTJD1155LT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0605
  
• 
  搜索

• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET CPH3356-TL-H, 2.5 A, Vds=20 V, 3引脚 CPH封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 320 mΩ,
• 制造商零件编号：
  CPH3356-TL-H
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-0787
  
• 
  搜索

• Vishay N沟道 Si MOSFET IRFP17N50LPBF, 16 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 320 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFP17N50LPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2755
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STF16N60M2, 12 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 320 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STF16N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  906-2773
  
• 
  搜索