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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFS52N15DPBF, 51 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 32 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFS52N15DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  639-1863
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD320N20N3 G, 34 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 32 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPD320N20N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5474
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STW78N65M5, 69 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 32 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STW78N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-7970
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMA7672, 9 A, Vds=30 V, 6引脚 MLP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 32 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDMA7672
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3472
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET IRF7328TRPBF, 8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 32 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7328TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8885
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9333TRPBF, 9.2 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 32 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF9333TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3928
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMA7628, 9 A, Vds=20 V, 6引脚 MLP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 32 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDMA7628
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8168
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS8984_F085, 7 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 32 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDS8984_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8723
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSR802N L6327, 3.7 A, Vds=20 V, 3引脚 SC-59封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 32 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSR802N L6327
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2251
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STW78N65M5, 69 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 32 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STW78N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-8938
  
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• Nexperia N沟道 Si MOSFET BUK9535-55A,127, 34 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 32 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BUK9535-55A,127
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  103-7544
  
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• Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI2333DS-T1-E3, 4.1 A, Vds=12 V, 3引脚 TO-236封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 32 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI2333DS-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-4691
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD5690, 30 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 32 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDD5690
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9087
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP4868PBF, 70 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 32 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFP4868PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-8947
  
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• Nexperia P沟道 Si MOSFET PMN27UP, 5.7 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 32 mΩ,
• 制造商零件编号：
  PMN27UP
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-2763
  
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• Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPD35N10S3L-26, 35 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 32 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPD35N10S3L-26
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9128
  
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• DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET DMN4026SSD-13, 9 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 32 mΩ,
• 制造商零件编号：
  DMN4026SSD-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  827-0484
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP4868PBF, 70 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 32 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFP4868PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-4733
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC320N20NS3 G, 36 A, Vds=200 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 32 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSC320N20NS3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5311
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTTFS5826NLTAG, 20 A, Vds=60 V, 8引脚 WDFN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 32 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTTFS5826NLTAG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-4789
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET IRF7328PBF, 8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 32 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7328PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-0284
  
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• Vishay ThunderFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIS468DN-T1-GE3, 30 A, Vds=80 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 32 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SIS468DN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9383
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVTFS5826NLTAG, 20 A, Vds=60 V, 8引脚 WDFN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 32 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NVTFS5826NLTAG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  823-4204
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVTFS5826NLTWG, 20 A, Vds=60 V, 8引脚 WDFN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 32 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NVTFS5826NLTWG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  823-4208
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP320N20N3 G, 34 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 32 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP320N20N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  823-5642
  
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