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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRFU1010Z, 91 A, Vds=55 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 7.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRFU1010Z
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1863
  
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• STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP95N3LLH6, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 7.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP95N3LLH6
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0203
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMC7582, 17 A, Vds=25 V, 8引脚 Power 33封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 7.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDMC7582
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3494
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SI7635DP-T1-GE3, 21 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 7.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI7635DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1407
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVTFS4824NTWG, 46 A, Vds=30 V, 8引脚 WDFN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 7.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NVTFS4824NTWG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  823-4188
  
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• ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NTMFS4899NFT1G, 29 A, Vds=30 V, 8引脚 SO-8FL封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 7.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTMFS4899NFT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  719-2951
  
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• ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NTMFS4899NFT3G, 29 A, Vds=30 V, 8引脚 SO-8FL封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 7.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTMFS4899NFT3G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  719-2960
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 BSC050N03LS G, 80 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 7.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSC050N03LS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5254
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET TK56A12N1,S4X(S, 112 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 7.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK56A12N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5163
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVTFS4824NTAG, 46 A, Vds=30 V, 8引脚 WDFN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 7.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NVTFS4824NTAG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  823-4179
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK56A12N1,S4X(S, 56 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 7.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK56A12N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2391
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3808STRLPBF, 106 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 7.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF3808STRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  915-4941
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1010Z, 94 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 7.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRF1010Z
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  715-7658
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMS4807NR2G, 12.2 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 7.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTMS4807NR2G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  805-4538
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB075N15A, 130 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 7.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDB075N15A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-7966
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1607PBF, 142 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 7.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF1607PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  865-5743
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR1010ZPBF, 91 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 7.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFR1010ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  865-5825
  
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• Infineon Si N沟道 MOSFET AUIRF1010ZL, 94 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 7.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRF1010ZL
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  715-7661
  
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• Infineon Si N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRFR1010Z, 91 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 7.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRFR1010Z
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1838
  
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• STMicroelectronics STripFET V 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STL65N3LLH5, 65 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerFLAT封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 7.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STL65N3LLH5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-2880
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS3016DC, 49 A，78 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 7.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDMS3016DC
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  772-9171
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIS330DN-T1-GE3, 19 A, Vds=30 V, 8引脚 PowePAK 1212封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 7.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SIS330DN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1301
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK56A12N1,S4X(S, 56 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 7.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK56A12N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6230
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1010ZSTRLPBF, 94 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 7.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF1010ZSTRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  915-4923
  
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