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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7201PBF, 7.3 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 30 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7201PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  300-565
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRF7607TRPBF, 6.5 A, Vds=20 V, 8引脚 MSOP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 30 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7607TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  301-776
  
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• Toshiba Si P沟道 MOSFET TPCA8107-H(TE12L,Q,M), 7.5 A, Vds=40 V, 8引脚 SOP 高级封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 30 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TPCA8107-H(TE12L,Q,M)
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  415-427
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF9410PBF, 7 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 30 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF9410PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-0323
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 N沟道 Si MOSFET IRF7331PBF, 7 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 30 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7331PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-2058
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMA8884, 8 A, Vds=30 V, 6引脚 MLP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 30 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDMA8884
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  803-1841
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SI3464DV-T1-GE3, 8 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 30 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI3464DV-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3167
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SI6968BEDQ-T1-GE3, 5.2 A, Vds=20 V, 8引脚 TSSOP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 30 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI6968BEDQ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1374
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7478TRPBF, 7 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 30 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7478TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3874
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR2908TRPBF, 39 A, Vds=80 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 30 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLR2908TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3354
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDC8886, 6.5 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 30 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDC8886
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8029
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD13AN06A0_F085, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 30 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDD13AN06A0_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8039
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SI1442DH-T1-GE3, 4 A, Vds=12 V, 6引脚 SC-70封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 30 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI1442DH-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9134
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI4835DDY-T1-GE3, 10.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 30 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI4835DDY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1295
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N06S2L23ATMA3, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 30 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPD30N06S2L23ATMA3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9115
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR2908TRLPBF, 39 A, Vds=80 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 30 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLR2908TRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3350
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET BSP030,115, 10 A, Vds=30 V, 4引脚 SC-73封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 30 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSP030,115
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  508-810
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 N沟道 Si MOSFET FDS9926A, 6.5 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 30 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDS9926A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0769
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD13AN06A0, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 30 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDD13AN06A0
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9052
  
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• DiodesZetex 双 N沟道 Si MOSFET DMN2016LHAB-7, 7.5 A, Vds=20 V, 6引脚 U-DFN2030封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 30 mΩ,
• 制造商零件编号：
  DMN2016LHAB-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  790-4586
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN3018SSD-13, 8.7 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 30 mΩ,
• 制造商零件编号：
  DMN3018SSD-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  790-4592
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDC8884, 6.5 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 30 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDC8884
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-0878
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 N沟道 Si MOSFET IPD25N06S4L-30, 25 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 30 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPD25N06S4L-30
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9507
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC8884, 15 A, Vds=30 V, 8引脚 MLP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 30 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDMC8884
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-5008
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDN537N, 8 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 30 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDN537N
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8506
  
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