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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP42AN15A0, 5 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 42 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDP42AN15A0
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4840
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP46N15, 45 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 42 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FQP46N15
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5124
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR4615PBF, 33 A, Vds=150 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 42 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFR4615PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7042
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 N沟道 Si MOSFET FDB2710, 50 A, Vds=250 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 42 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDB2710
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-8961
  
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• ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 EMH1405-TL-H, 8.5 A, Vds=30 V, 8引脚 EMH封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 42 mΩ,
• 制造商零件编号：
  EMH1405-TL-H
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-0881
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD24N06T4G, 24 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 42 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTD24N06T4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-1002
  
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• Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET FDD4685, 8.4 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 42 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDD4685
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-0893
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMG6402LVT-7, 7.5 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOT-26封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 42 mΩ,
• 制造商零件编号：
  DMG6402LVT-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  827-0525
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR4615, 33 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 42 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRFR4615
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  912-8637
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN3404L-7, 5.8 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 42 mΩ,
• 制造商零件编号：
  DMN3404L-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  922-8361
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN3404L-7, 5.8 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 42 mΩ,
• 制造商零件编号：
  DMN3404L-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  751-4171
  
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• Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N10S3L-34, 30 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 42 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPD30N10S3L-34
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3018
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN026-80YS, 34 A, Vds=80 V, 4引脚 SOT-669封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 42 mΩ,
• 制造商零件编号：
  PSMN026-80YS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-2861
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS4615TRLPBF, 33 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 42 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFS4615TRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4114
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3415PBF, 43 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 42 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF3415PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  542-9232
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS4615PBF, 33 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 42 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFS4615PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7103
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFU4615PBF, 33 A, Vds=150 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 42 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFU4615PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7159
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA46N15, 50 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 42 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FQA46N15
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  808-8982
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI2366DS-T1-GE3, 5.8 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 42 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI2366DS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3132
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17313Q2, 5 A, Vds=30 V, 6引脚 SON封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 42 mΩ,
• 制造商零件编号：
  CSD17313Q2
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4849
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF2710T, 25 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 42 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDPF2710T
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8590
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN026-80YS, 34 A, Vds=80 V, 4引脚 SOT-669封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 42 mΩ,
• 制造商零件编号：
  PSMN026-80YS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  103-8121
  
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• STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STW70N60DM2, 66 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 42 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STW70N60DM2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  111-6487
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3415SPBF, 43 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 42 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF3415SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  542-9248
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3415, 43 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 42 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRF3415
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1784
  
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