产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 4.7 Ω,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP2N60C, 2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 4.7 Ω,
制造商零件编号:
FQP2N60C
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5076
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQPF2N60C, 2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 4.7 Ω,
制造商零件编号:
FQPF2N60C
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5244
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQU2N60CTU, 1.9 A, Vds=600 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 4.7 Ω,
制造商零件编号:
FQU2N60CTU
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5357
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD2N60CTM, 1.9 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 4.7 Ω,
制造商零件编号:
FQD2N60CTM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
808-9017
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