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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLIZ44NPBF, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 22 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLIZ44NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-0541
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQB50N06TM, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 22 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FQB50N06TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0911
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS4127PBF, 72 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 22 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFS4127PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7096
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMA7670, 11 A, Vds=30 V, 6引脚 MLP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 22 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDMA7670
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8177
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLIZ44NPBF, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 22 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLIZ44NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3796
  
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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI4850EY-T1-E3, 6 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 22 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI4850EY-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-0828
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI7850DP-T1-E3, 6.2 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 22 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI7850DP-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-0830
  
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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI7850DP-T1-E3, 6.2 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 22 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI7850DP-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-5659
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH120N20P, 120 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 22 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IXFH120N20P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  193-458
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRF7401PBF, 8.7 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 22 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7401PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  540-9834
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDS4935BZ, 6.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 22 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDS4935BZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0536
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS6990AS, 7.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 22 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDS6990AS
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0671
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STY112N65M5, 96 A, Vds=650 V, 3引脚 Max247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 22 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STY112N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0648
  
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• Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI5429DU-T1-GE3, 12 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK ChipFET封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 22 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI5429DU-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9232
  
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• NXP N沟道 MOSFET 晶体管 PMV22EN, 5.2 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-236AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 22 mΩ,
• 制造商零件编号：
  PMV22EN
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  798-2794
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIA462DJ-T1-GE3, 12 A, Vds=30 V, 6引脚 SC-70封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 22 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SIA462DJ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1222
  
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• Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI7288DP-T1-GE3, 20 A, Vds=40 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 22 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI7288DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1390
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7495TRPBF, 7.3 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 22 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7495TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3877
  
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• Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI7288DP-T1-GE3, 20 A, Vds=40 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 22 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI7288DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4334
  
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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI4850EY-T1-E3, 6 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 22 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI4850EY-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-5652
  
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• Taiwan Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET TSM6968DCA RVG, 6.5 A, Vds=20 V, 8引脚 TSSOP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 22 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TSM6968DCA RVG
  品牌：
  Taiwan Semiconductor
  库存编号：
  398-449
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7403PBF, 8.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 22 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7403PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  540-9840
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP50N06, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 22 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FQP50N06
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5137
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7495PBF, 7.3 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 22 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7495PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6875
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI4850EY-T1-E3, 6 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 22 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI4850EY-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-4730
  
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