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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS8884, 8.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 23 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDS8884
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0722
  
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• Fairchild Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET FDS8984, 7 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 23 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDS8984
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0753
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFBA90N20DPBF, 98 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-273AA封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 23 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFBA90N20DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3950
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N06S2-23, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 23 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPD30N06S2-23
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4584
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 N沟道 Si MOSFET IPD30N06S4L-23, 30 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 23 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPD30N06S4L-23
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4593
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3710SPBF, 57 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 23 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF3710SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  542-9254
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP90N20DPBF, 94 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 23 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFP90N20DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  639-1857
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP70N10, 57 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 23 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FQP70N10
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5174
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQPF70N10, 35 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 23 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FQPF70N10
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5307
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRL6372PBF, 8.1 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 23 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRL6372PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  760-4416
  
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• STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB60NF10T4, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 23 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STB60NF10T4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9859
  
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• STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STP60NF10, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 23 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP60NF10
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0159
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD10AN06A0_F085, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 23 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDD10AN06A0_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8032
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP90N20DPBF, 94 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 23 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFP90N20DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3907
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPP80P06PH, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 23 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SPP80P06PHXKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  914-0194
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3710PBF, 57 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 23 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF3710PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4775
  
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• Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDS3672, 7.5 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 23 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDS3672
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0491
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA70N10, 70 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 23 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FQA70N10
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4963
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVD6824NLT4G, 41 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 23 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NVD6824NLT4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-1550
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI3410DV-T1-GE3, 8 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 23 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI3410DV-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3148
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD13303W1015, 3.5 A, Vds=12 V, 6引脚 DSBGA封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 23 mΩ,
• 制造商零件编号：
  CSD13303W1015
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4675
  
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• Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 N沟道 Si MOSFET HUFA76429D3ST_F085, 20 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 23 mΩ,
• 制造商零件编号：
  HUFA76429D3ST_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  862-9337
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3710LPBF, 57 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 23 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF3710LPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  865-5752
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMFS6B14NT1G, 50 A, Vds=100 V, 8引脚 SO-8FL封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 23 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTMFS6B14NT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  867-3274
  
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• MagnaChip 双 Si N沟道 MOSFET MDC0531EURH, 8 A, Vds=30 V, 8引脚 TSSOP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 23 mΩ,
• 制造商零件编号：
  MDC0531EURH
  品牌：
  MagnaChip
  库存编号：
  871-4892
  
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