产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STF24N60M2, 18 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
STF24N60M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
783-2924
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STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STFI20N65M5, 18 A, Vds=710 V, 3引脚 I2PAKFP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
STFI20N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
783-2942
搜索
STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STW24N60M2, 18 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
STW24N60M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
783-3090
搜索
STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STB24N60M2, 18 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
STB24N60M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
783-3103
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB24NM65N, 19 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
STB24NM65N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
811-1079
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STW23NM50N, 17 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
STW23NM50N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9783
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STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STP24N60M2, 18 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
STP24N60M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
783-2920
搜索
STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STP20N65M5, 18 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
STP20N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
783-3080
搜索
STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STI24N60M2, 18 A, Vds=650 V, 3引脚 I2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
STI24N60M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-7687
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STMicroelectronics N沟道 MOSFET 晶体管 STI24NM65N, 19 A, Vds=710 V, 3引脚 I2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
STI24NM65N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9617
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STW24NM60N, 17 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
STW24NM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9786
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET 晶体管 STF23NM50N, 17 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
STF23NM50N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-2786
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STI24NM60N, 17 A, Vds=650 V, 3引脚 I2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
STI24NM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9613
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP24NM60N, 17 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
STP24NM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9679
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP23NM50N, 17 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
STP23NM50N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0077
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STF24NM60N, 17 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
STF24NM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0459
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STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STW20N65M5, 18 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
STW20N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
783-3084
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STFW24N60M2, 18 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-3PF封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
STFW24N60M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
860-7343
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