产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 2.8 mΩ,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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NXP Si N沟道 MOSFET PSMN2R0-30PL, 100 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 2.8 mΩ,
制造商零件编号:
PSMN2R0-30PL
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2928
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Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD19506KCS, 273 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 2.8 mΩ,
制造商零件编号:
CSD19506KCS
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4903
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPI120N06S4-02, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 2.8 mΩ,
制造商零件编号:
IPI120N06S4-02
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4666
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS8820, 116 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 2.8 mΩ,
制造商零件编号:
FDMS8820
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3532
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPB180P04P4-03, 180 A, Vds=40 V, 7引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 2.8 mΩ,
制造商零件编号:
IPB180P04P4-03
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8674
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Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS8560S, 70 A, Vds=25 V, 8引脚 Power 56封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 2.8 mΩ,
制造商零件编号:
FDMS8560S
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
772-9199
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLSL3036PBF, 270 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 2.8 mΩ,
制造商零件编号:
IRLSL3036PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3398
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP120N06S4-02, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 2.8 mΩ,
制造商零件编号:
IPP120N06S4-02
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6873
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA028N08N3 G, 100 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 2.8 mΩ,
制造商零件编号:
IPA028N08N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7315
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