产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 230 mΩ,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFP22N50APBF, 22 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 230 mΩ,
制造商零件编号:
IRFP22N50APBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-1972
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDP20N50, 20 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 230 mΩ,
制造商零件编号:
FDP20N50
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4809
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDA20N50_F109, 22 A, Vds=500 V, 2引脚 TO-3PN封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 230 mΩ,
制造商零件编号:
FDA20N50_F109
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
809-5078
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DiodesZetex N沟道 Si MOSFET DMN2230U-7, 2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 230 mΩ,
制造商零件编号:
DMN2230U-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
822-2567
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ROHM N沟道 Si MOSFET RCX330N25, 33 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220FM封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 230 mΩ,
制造商零件编号:
RCX330N25
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7721
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSD314SPEH6327XTSA1, 1.5 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-363封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 230 mΩ,
制造商零件编号:
BSD314SPEH6327XTSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8481
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK16A60W5,S4VX(M, 15.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 230 mΩ,
制造商零件编号:
TK16A60W5,S4VX(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
891-2904
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN10B08E6TA, 1.9 A, Vds=100 V, 6引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 230 mΩ,
制造商零件编号:
ZXMN10B08E6TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
669-7420
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Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDS355AN, 1.7 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 230 mΩ,
制造商零件编号:
NDS355AN
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-0167
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Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SiHG22N50D-GE3, 22 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 230 mΩ,
制造商零件编号:
SiHG22N50D-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9197
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDPF20N50T, 20 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 230 mΩ,
制造商零件编号:
FDPF20N50T
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3602
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK16A60W5,S4VX(M, 15.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 230 mΩ,
制造商零件编号:
TK16A60W5,S4VX(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6139
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IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH26N50P, 26 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 230 mΩ,
制造商零件编号:
IXFH26N50P
品牌:
IXYS
库存编号:
194-530
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Vishay Si N沟道 MOSFET SIR698DP-T1-GE3, 7.5 A, Vds=100 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 230 mΩ,
制造商零件编号:
SIR698DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9345
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP16N25, 16 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 230 mΩ,
制造商零件编号:
FQP16N25
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-5869
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Panasonic P沟道 MOSFET 晶体管 FL6L52010L, 2 A, Vds=20 V, 6引脚 WSSMini6-F1封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 230 mΩ,
制造商零件编号:
FL6L52010L
品牌:
Panasonic
库存编号:
760-2940
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Toshiba N沟道 Si MOSFET TK16A60W5,S4VX(M, 15.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 230 mΩ,
制造商零件编号:
TK16A60W5,S4VX(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5031
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDPF20N50, 20 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 230 mΩ,
制造商零件编号:
FDPF20N50
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3605
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ROHM Si N沟道 MOSFET RCJ330N25TL, 33 A, Vds=250 V, 3引脚 SC-83封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 230 mΩ,
制造商零件编号:
RCJ330N25TL
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7728
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ROHM Si P沟道 MOSFET RRF015P03TL, 1.5 A, Vds=30 V, 3引脚 TUMT封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 230 mΩ,
制造商零件编号:
RRF015P03TL
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7731
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSS314PE H6327, 1.5 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 230 mΩ,
制造商零件编号:
BSS314PE H6327
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2377
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IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH26N50P, 26 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 230 mΩ,
制造商零件编号:
IXFH26N50P
品牌:
IXYS
库存编号:
920-0773
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