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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMG4496SSS-13, 10 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 29 mΩ,
• 制造商零件编号：
  DMG4496SSS-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  823-3214
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDMC8032L, 7 A, Vds=40 V, 8引脚 Power 33封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 29 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDMC8032L
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8209
  
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• STMicroelectronics STripFET F6 系列 Si P沟道 MOSFET STL8P4LLF6, 8 A, Vds=40 V, 8引脚 PowerFLAT封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 29 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STL8P4LLF6
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  906-2846
  
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• STMicroelectronics STripFET F6 系列 Si P沟道 MOSFET STS7P4LLF6, 7 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 29 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STS7P4LLF6
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  906-2864
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3518PBF, 38 A, Vds=80 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 29 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFR3518PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-2244
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN017-80PS, 50 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 29 mΩ,
• 制造商零件编号：
  PSMN017-80PS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-2855
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3518TRPBF, 38 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 29 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFR3518TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4048
  
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• Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPI50N10S3L-16, 50 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 29 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPI50N10S3L-16
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4685
  
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• Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPP50N10S3L-16, 50 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 29 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP50N10S3L-16
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6899
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7313PBF, 6.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 29 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7313PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-0250
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7311PBF, 6.6 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 29 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7311PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  610-6687
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR540ZPBF, 35 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 29 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFR540ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  700-3270
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STY100NM60N, 98 A, Vds=650 V, 3引脚 Max247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 29 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STY100NM60N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-2927
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STW88N65M5, 84 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 29 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STW88N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-3024
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STW88N65M5, 84 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 29 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STW88N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  103-2004
  
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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDS8449, 7.6 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 29 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDS8449
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0703
  
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• Fairchild Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET FDS8949, 6 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 29 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDS8949
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0747
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQD40N06-14L_GE3, 40 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 29 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SQD40N06-14L_GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9484
  
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• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMG4435SSS-13, 10 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 29 mΩ,
• 制造商零件编号：
  DMG4435SSS-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  823-3205
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFTS8342TRPBF, 8.2 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 29 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFTS8342TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4127
  
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• Vishay Siliconix TrenchFET 系列 Si P沟道 MOSFET SI7469DP-T1-E3, 28 A, Vds=80 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 29 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI7469DP-T1-E3
  品牌：
  Vishay Siliconix
  库存编号：
  873-0976
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3518PBF, 38 A, Vds=80 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 29 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFR3518PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3887
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQD40N06-14L_GE3, 40 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 29 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SQD40N06-14L-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4255
  
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