产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 185 mΩ,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FQU11P06TU, 9.4 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 185 mΩ,
制造商零件编号:
FQU11P06TU
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5335
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Vishay Si N沟道 MOSFET Si1308EDL-T1-GE3, 1.5 A, Vds=30 V, 3引脚 SC-70封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 185 mΩ,
制造商零件编号:
Si1308EDL-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9121
搜索
Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FQD11P06TM, 9.4 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 185 mΩ,
制造商零件编号:
FQD11P06TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0949
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IXYS HiperFET, Polar3 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH42N60P3, 42 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 185 mΩ,
制造商零件编号:
IXFH42N60P3
品牌:
IXYS
库存编号:
802-4376
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ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTF2955T1G, 2.6 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 185 mΩ,
制造商零件编号:
NTF2955T1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
103-5069
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFL4315PBF, 2.6 A, Vds=150 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 185 mΩ,
制造商零件编号:
IRFL4315PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-4007
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFL4315TRPBF, 2.6 A, Vds=150 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 185 mΩ,
制造商零件编号:
IRFL4315TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
865-5822
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR120NPBF, 10 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 185 mΩ,
制造商零件编号:
IRLR120NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-0222
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLU120NPBF, 10 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 185 mΩ,
制造商零件编号:
IRLU120NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-1718
搜索
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTF2955T1G, 2.6 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 185 mΩ,
制造商零件编号:
NTF2955T1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
688-9130
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Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHG22N60E-GE3, 21 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 185 mΩ,
制造商零件编号:
SiHG22N60E-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9412
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