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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1010NSPBF, 85 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 11 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF1010NSPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-2874
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7413PBF, 13 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 11 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7413PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-2468
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR48Z, 62 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 11 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRFR48Z
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  760-4303
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 N沟道 Si MOSFET STP75NS04Z, 80 A, Vds=33 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 11 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP75NS04Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-2928
  
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• Toshiba TPH 系列 Si N沟道 MOSFET TPH4R606NH, 85 A, Vds=60 V, 8引脚 SOP 高级封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 11 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TPH4R606NH
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  796-5140
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ110N06NS3 G, 20 A, Vds=60 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 11 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSZ110N06NS3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  823-5724
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC110N06NS3G, 50 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 11 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSC110N06NS3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5303
  
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• STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STP75NF75, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 11 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP75NF75
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-8840
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7413QPBF, 13 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 11 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7413QPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  495-653
  
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• STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 Si MOSFET STB75NF75LT4, 75 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 11 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STB75NF75LT4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  103-1579
  
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• STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STP75NF75, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 11 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP75NF75
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  485-7844
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1010NPBF, 85 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 11 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF1010NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-0777
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR3715ZPBF, 49 A, Vds=20 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 11 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLR3715ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4570
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ48ZSPBF, 61 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 11 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFZ48ZSPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  651-8923
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRL3715ZSPBF, 50 A, Vds=20 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 11 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRL3715ZSPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7190
  
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• STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 Si MOSFET STB75NF75LT4, 75 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 11 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STB75NF75LT4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  714-6778
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF7779L2TR1PBF, 375 A, Vds=150 V, 11引脚 DirectFET L8封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 11 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7779L2TR1PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  716-5393
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD110N12N3 G, 75 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 11 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPD110N12N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5462
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN012-80PS, 74 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 11 mΩ,
• 制造商零件编号：
  PSMN012-80PS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-2836
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMS4939NR2G, 10.3 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 11 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTMS4939NR2G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  805-4531
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB110N15A, 92 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 11 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDB110N15A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-0802
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB050AN06A0, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 11 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDB050AN06A0
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-0809
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPD068P03L3G, 70 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 11 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPD068P03L3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5108
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRF7805QPBF, 13 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 11 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7805QPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  495-697
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7805PBF, 13 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 11 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7805PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-2010
  
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