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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRF5802TRPBF, 900 mA, Vds=150 V, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 1.2 Ω,
• 制造商零件编号：
  IRF5802TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  301-647
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP6NK60Z, 6 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 1.2 Ω,
• 制造商零件编号：
  STP6NK60Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  485-7838
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP6NK60ZFP, 6 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 1.2 Ω,
• 制造商零件编号：
  STP6NK60ZFP
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  486-2357
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET IRFBC40LCPBF, 6.2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 1.2 Ω,
• 制造商零件编号：
  IRFBC40LCPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-0159
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFIBC40GPBF, 3.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 1.2 Ω,
• 制造商零件编号：
  IRFIBC40GPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-1332
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRFU9110PBF, 3.1 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 1.2 Ω,
• 制造商零件编号：
  IRFU9110PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-1663
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPC40PBF, 6.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 1.2 Ω,
• 制造商零件编号：
  IRFPC40PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9822
  
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• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP6N52K3, 5 A, Vds=525 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 1.2 Ω,
• 制造商零件编号：
  STP6N52K3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0165
  
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• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP6N62K3, 5.5 A, Vds=620 V, 4引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 1.2 Ω,
• 制造商零件编号：
  STP6N62K3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0168
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTK3134NT1G, 990 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-723封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 1.2 Ω,
• 制造商零件编号：
  NTK3134NT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0649
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 Si N沟道 MOSFET STD6N60M2, 4.5 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 1.2 Ω,
• 制造商零件编号：
  STD6N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  786-3615
  
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• STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STU7N80K5, 6 A, Vds=800 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 1.2 Ω,
• 制造商零件编号：
  STU7N80K5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-7946
  
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• STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STD7N80K5, 6 A, Vds=800 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 1.2 Ω,
• 制造商零件编号：
  STD7N80K5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-9305
  
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• STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STL7N80K5, 3.6 A, Vds=800 V, 8引脚 PowerFLAT封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 1.2 Ω,
• 制造商零件编号：
  STL7N80K5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  792-5915
  
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• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFR15N100Q3, 10 A, Vds=1000 V, 3引脚 ISOPLUS247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 1.2 Ω,
• 制造商零件编号：
  IXFR15N100Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  801-1430
  
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• Fairchild Semiconductor 双 P沟道 Si MOSFET FDG6318PZ, 500 mA, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 1.2 Ω,
• 制造商零件编号：
  FDG6318PZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3419
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRFR9110TRPBF, 3.1 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 1.2 Ω,
• 制造商零件编号：
  IRFR9110TRPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-0644
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP6NK60ZFP, 6 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 1.2 Ω,
• 制造商零件编号：
  STP6NK60ZFP
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-8749
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRFR9110PBF, 3.1 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 1.2 Ω,
• 制造商零件编号：
  IRFR9110PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-0395
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPE50PBF, 7.8 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 1.2 Ω,
• 制造商零件编号：
  IRFPE50PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-1089
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9510SPBF, 4 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 1.2 Ω,
• 制造商零件编号：
  IRF9510SPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  650-4126
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI2325DS-T1-E3, 530 mA, Vds=150 V, 3引脚 TO-236封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 1.2 Ω,
• 制造商零件编号：
  SI2325DS-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3263
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STD6NK50ZT4, 5.6 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 1.2 Ω,
• 制造商零件编号：
  STD6NK50ZT4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9597
  
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• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD6N62K3, 5.5 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 1.2 Ω,
• 制造商零件编号：
  STD6N62K3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9922
  
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• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STF6N52K3, 5 A, Vds=525 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 1.2 Ω,
• 制造商零件编号：
  STF6N52K3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-2846
  
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