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• Toshiba Si N沟道 MOSFET TK100A10N1,S4X(S, 207 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 3.8 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK100A10N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-4983
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK100A10N1,S4X(S, 207 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 3.8 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK100A10N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  891-2866
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF2907ZS-7P, 180 A, Vds=75 V, 7引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 3.8 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRF2907ZS-7P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7427
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS7670AS, 113 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 3.8 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDMS7670AS
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-4807
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC030N03MS G, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 3.8 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSC030N03MS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5244
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSO033N03MSG, 22 A, Vds=30 V, 8引脚 DSO封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 3.8 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSO033N03MSG
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9184
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16321Q5, 100 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 3.8 mΩ,
• 制造商零件编号：
  CSD16321Q5
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4684
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86350, 130 A, Vds=80 V, 8引脚 Power 56封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 3.8 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDMS86350
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8483
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF2907ZS-7P, 180 A, Vds=75 V, 7引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 3.8 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRF2907ZS-7P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  912-8582
  
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