以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD5865NLT4G, 40 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 19 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTD5865NLT4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  719-2894
  
• 
  搜索

• Panasonic N沟道 MOSFET 晶体管 FK8V03040L, 12 A, Vds=33 V, 8引脚 WMini8-F1封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 19 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FK8V03040L
  品牌：
  Panasonic
  库存编号：
  749-8243
  
• 
  查看其他仓库

• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTMS4177PR2G, 11.4 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 19 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTMS4177PR2G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-4723
  
• 
  搜索

• Toshiba N沟道 MOSFET 晶体管 TPH7R506NH, 55 A, Vds=60 V, 8引脚 SOP 高级封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 19 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TPH7R506NH
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  796-5147
  
• 
  查看其他仓库

• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVD5865NLT4G, 38 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 19 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NVD5865NLT4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-1080
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS6692A, 9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 19 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDS6692A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  805-0378
  
• 
  查看其他仓库

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMA8051L, 10 A, Vds=40 V, 6引脚 MLP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 19 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDMA8051L
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8170
  
• 
  查看其他仓库

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDS4141_F085, 10.8 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 19 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDS4141_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8631
  
• 
  查看其他仓库

• STMicroelectronics STripFET 系列 Si P沟道 MOSFET STL60P4LLF6, 60 A, Vds=40 V, 8引脚 PowerFLAT封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 19 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STL60P4LLF6
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  876-5689
  
• 
  搜索

• Infineon CoolMOS C7 系列 N沟道 Si MOSFET IPW65R019C7, 75 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 19 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPW65R019C7
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7624
  
• 
  搜索

• Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SUM55P06-19L-E3, 55 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 19 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SUM55P06-19L-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-5744
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL6342PBF, 9.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 19 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRL6342PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  760-4413
  
• 
  搜索

• IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFK150N30P3, 150 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-264封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 19 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IXFK150N30P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  802-4398
  
• 
  查看其他仓库

• IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFX150N30P3, 150 A, Vds=300 V, 3引脚 PLUS247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 19 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IXFX150N30P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  802-4495
  
• 
  查看其他仓库

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86320, 22 A, Vds=80 V, 8引脚 Power 56封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 19 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDMS86320
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3529
  
• 
  查看其他仓库

• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD5865NLT4G, 40 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 19 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTD5865NLT4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  103-5086
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 N沟道 Si MOSFET FDD3706, 50 A, Vds=20 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 19 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDD3706
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9077
  
• 
  查看其他仓库

• Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FDD6637, 55 A, Vds=35 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 19 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDD6637
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9093
  
• 
  搜索

• Infineon CoolMOS C7 系列 N沟道 Si MOSFET IPZ65R019C7, 75 A, Vds=700 V, 4引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 19 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPZ65R019C7
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7661
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR3103PBF, 55 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 19 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLR3103PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-0579
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD8882, 55 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 19 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDD8882
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  802-3216
  
• 
  查看其他仓库

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDPF190N15A, 27 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 19 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDPF190N15A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8596
  
• 
  查看其他仓库