产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 170 mΩ,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH36N50P, 36 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AD封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 170 mΩ,
制造商零件编号:
IXFH36N50P
品牌:
IXYS
库存编号:
194-546
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP19N20C, 19 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 170 mΩ,
制造商零件编号:
FQP19N20C
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5042
搜索
Vishay D Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHP25N40D-GE3, 25 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 170 mΩ,
制造商零件编号:
SIHP25N40D-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9175
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Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 Si N沟道 MOSFET FCPF190N60, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 170 mΩ,
制造商零件编号:
FCPF190N60
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-7913
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQB19N20CTM, 19 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 170 mΩ,
制造商零件编号:
FQB19N20CTM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0867
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Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHG25N40D-GE3, 25 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 170 mΩ,
制造商零件编号:
SIHG25N40D-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9169
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD3055L170T4G, 9 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 170 mΩ,
制造商零件编号:
NTD3055L170T4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1493
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 N沟道 Si MOSFET FDG311N, 1.9 A, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 170 mΩ,
制造商零件编号:
FDG311N
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3374
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Infineon HEXFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET IRF7342TRPBF, 3.4 A, Vds=55 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 170 mΩ,
制造商零件编号:
IRF7342TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8901
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Toshiba P沟道 MOSFET 晶体管 2SJ669(Q), 5 A, Vds=60 V, 3引脚 TPS封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 170 mΩ,
制造商零件编号:
2SJ669(Q)
品牌:
Toshiba
库存编号:
185-546
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN5618P, 1.25 A, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 170 mΩ,
制造商零件编号:
FDN5618P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0463
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQPF19N20C, 19 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 170 mΩ,
制造商零件编号:
FQPF19N20C
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5247
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Vishay Si N沟道 MOSFET 晶体管 SI3430DV-T1-E3, 1.8 A, Vds=100 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 170 mΩ,
制造商零件编号:
SI3430DV-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3272
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7450PBF, 2.5 A, Vds=200 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 170 mΩ,
制造商零件编号:
IRF7450PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8932
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLMS1902TRPBF, 3.2 A, Vds=20 V, 6引脚 Micro6封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 170 mΩ,
制造商零件编号:
IRLMS1902TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3322
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IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH36N50P, 36 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AD封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 170 mΩ,
制造商零件编号:
IXFH36N50P
品牌:
IXYS
库存编号:
920-0782
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Toshiba Si P沟道 MOSFET 2SJ668(TE16L,NQ), 5 A, Vds=60 V, 3引脚 PW Mold封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 170 mΩ,
制造商零件编号:
2SJ668(TE16L,NQ)
品牌:
Toshiba
库存编号:
415-174
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 P沟道 Si MOSFET FDMA6023PZT, 3.6 A, Vds=20 V, 6引脚 MLP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 170 mΩ,
制造商零件编号:
FDMA6023PZT
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9122
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD86113LZ, 5.5 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 170 mΩ,
制造商零件编号:
FDD86113LZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
772-9130
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ON Semiconductor 双 Si P沟道 MOSFET NTHD4102PT1G, 4.1 A, Vds=20 V, 8引脚 ChipFET封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 170 mΩ,
制造商零件编号:
NTHD4102PT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0589
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Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 Si N沟道 MOSFET FCH170N60, 22 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 170 mΩ,
制造商零件编号:
FCH170N60
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
865-1299
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