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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDP8860, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 0.003 Ω,
• 制造商零件编号：
  FDP8860
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4865
  
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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDB8832, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-263AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 0.003 Ω,
• 制造商零件编号：
  FDB8832
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-8999
  
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• STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 STI260N6F6, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 I2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 0.003 Ω,
• 制造商零件编号：
  STI260N6F6
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9626
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3206GPBF, 210 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 0.003 Ω,
• 制造商零件编号：
  IRFB3206GPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5123
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL7440PBF, 208 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 0.003 Ω,
• 制造商零件编号：
  IRFSL7440PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5090
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL3206PBF, 210 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 0.003 Ω,
• 制造商零件编号：
  IRFSL3206PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-4990
  
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• Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET IPP020N06N, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 0.003 Ω,
• 制造商零件编号：
  IPP020N06N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-2919
  
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