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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP4768PBF, 93 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 14.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFP4768PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7020
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN4010LK3-13, 39 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 14.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  DMN4010LK3-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  828-3193
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC8327L, 14 A, Vds=40 V, 8引脚 Power 33封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 14.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDMC8327L
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8203
  
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• IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFB210N30P3, 210 A, Vds=300 V, 3引脚 PLUS264封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 14.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IXFB210N30P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  920-0987
  
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• Nexperia Si N沟道 MOSFET PSMN011-30YLC, 37 A, Vds=30 V, 4引脚 SOT-669封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 14.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  PSMN011-30YLC
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-2820
  
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• IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFB210N30P3, 210 A, Vds=300 V, 3引脚 PLUS264封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 14.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IXFB210N30P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  802-4357
  
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• IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN210N30P3, 192 A, Vds=300 V, 4引脚 SOT-227B封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 14.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IXFN210N30P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  804-7593
  
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• Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SIZ702DT-T1-GE3, 13.8 A，14 A, Vds=30 V, 6引脚 PowerPAIR封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 14.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SIZ702DT-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1326
  
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• MagnaChip Si P沟道 MOSFET MDS3603URH, 12 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 14.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  MDS3603URH
  品牌：
  MagnaChip
  库存编号：
  871-4993
  
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