产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 120 mΩ,
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
>
分立半导体
>
MOSFET 晶体管
筛选品牌
DiodesZetex (4)
Fairchild Semiconductor (5)
Infineon (4)
Nexperia (3)
ON Semiconductor (6)
Vishay (3)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NTF3055L108T1G, 3 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 120 mΩ,
制造商零件编号:
NTF3055L108T1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
463-307
搜索
ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NTF3055L108T1G, 3 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 120 mΩ,
制造商零件编号:
NTF3055L108T1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
100-8062
搜索
Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R125CP, 25 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 120 mΩ,
制造商零件编号:
IPP60R125CP
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7478
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDT3612, 3.7 A, Vds=100 V, 3引脚 SOT-223封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 120 mΩ,
制造商零件编号:
FDT3612
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0778
查看其他仓库
Vishay 双 Si P沟道 MOSFET 晶体管 SI4948BEY-T1-E3, 2.4 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 120 mΩ,
制造商零件编号:
SI4948BEY-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3377
搜索
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPW90R120C3, 36 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 120 mΩ,
制造商零件编号:
IPW90R120C3
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3077
搜索
Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDH45N50F_F133, 45 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 120 mΩ,
制造商零件编号:
FDH45N50F_F133
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8152
搜索
DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN3A01FTA, 2 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 120 mΩ,
制造商零件编号:
ZXMN3A01FTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
922-7850
搜索
DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN3A01FTA, 2 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 120 mΩ,
制造商零件编号:
ZXMN3A01FTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
669-7385
搜索
Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP320S, 2.9 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 120 mΩ,
制造商零件编号:
BSP320S
品牌:
Infineon
库存编号:
753-2810
搜索
ON Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 NTR2101PT1G, 3.7 A, Vds=8 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 120 mΩ,
制造商零件编号:
NTR2101PT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-4739
搜索
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTR2101PT1G, 3.7 A, Vds=8 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 120 mΩ,
制造商零件编号:
NTR2101PT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
790-5274
搜索
Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRLML6401GTRPBF, 4.3 A, Vds=12 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 120 mΩ,
制造商零件编号:
IRLML6401GTRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5163
搜索
Nexperia Si N沟道 MOSFET BSH108,215, 1.9 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-236AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 120 mΩ,
制造商零件编号:
BSH108,215
品牌:
Nexperia
库存编号:
509-324
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQP17P06, 17 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 120 mΩ,
制造商零件编号:
FQP17P06
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5045
搜索
Nexperia Si P沟道 MOSFET BSH207,135, 1.5 A, Vds=12 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 120 mΩ,
制造商零件编号:
BSH207,135
品牌:
Nexperia
库存编号:
725-8360
搜索
ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET NTLUS3A40PZTAG, 9.4 A, Vds=20 V, 6引脚 UDFN封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 120 mΩ,
制造商零件编号:
NTLUS3A40PZTAG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0668
搜索
ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NVF3055L108T1G, 3 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 120 mΩ,
制造商零件编号:
NVF3055L108T1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
805-8717
搜索
Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDH44N50, 44 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 120 mΩ,
制造商零件编号:
FDH44N50
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3438
搜索
Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDB38N30U, 38 A, Vds=300 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 120 mΩ,
制造商零件编号:
FDB38N30U
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
809-0818
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET SI1050X-T1-GE3, 1.34 A, Vds=8 V, 6引脚 SC-89封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 120 mΩ,
制造商零件编号:
SI1050X-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3035
搜索
DiodesZetex N沟道 Si MOSFET ZXMN2F34FHTA, 4 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 120 mΩ,
制造商零件编号:
ZXMN2F34FHTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
708-2517
搜索
DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP3098L-7, 3.8 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 120 mΩ,
制造商零件编号:
DMP3098L-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-4266
搜索
Nexperia Si P沟道 MOSFET NX2301P, 2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 120 mΩ,
制造商零件编号:
NX2301P
品牌:
Nexperia
库存编号:
780-5376
搜索
Vishay P沟道 Si MOSFET SI2329DS-T1-GE3, 6 A, Vds=8 V, 3引脚 TO-236封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 120 mΩ,
制造商零件编号:
SI2329DS-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3114
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号