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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP10NK80ZFP, 9 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：STMicroelectronics,规格：最大漏源电阻值 900 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP10NK80ZFP
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5273
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STD7ANM60N, 5 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：STMicroelectronics,规格：最大漏源电阻值 900 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STD7ANM60N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  792-5723
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STD7NM60N, 5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：STMicroelectronics,规格：最大漏源电阻值 900 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STD7NM60N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  103-1988
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STF7NM60N, 5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：STMicroelectronics,规格：最大漏源电阻值 900 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STF7NM60N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-2843
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP10NK80Z, 9 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：STMicroelectronics,规格：最大漏源电阻值 900 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP10NK80Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-8856
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STD7NM60N, 5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：STMicroelectronics,规格：最大漏源电阻值 900 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STD7NM60N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9935
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP10NK80Z, 9 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：STMicroelectronics,规格：最大漏源电阻值 900 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP10NK80Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5276
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STU7NM60N, 5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-251封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：STMicroelectronics,规格：最大漏源电阻值 900 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STU7NM60N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0247
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW10NK80Z, 9 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：STMicroelectronics,规格：最大漏源电阻值 900 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STW10NK80Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-8865
  
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