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• Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPP80N04S3-06, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 5.7 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP80N04S3-06
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3055
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP057N06N3 G, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 5.7 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP057N06N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  823-5550
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ0904NSI, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 5.7 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSZ0904NSI
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9089
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ050N03MSG, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 5.7 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSZ050N03MSG
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5246
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP80N06S4-05, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 5.7 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP80N06S4-05
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6990
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC057N08NS3 G, 100 A, Vds=80 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 5.7 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSC057N08NS3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5272
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPB048N06L G, 100 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 5.7 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPB048N06L G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5430
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD70N03S4L-04, 70 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 5.7 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPD70N03S4L-04
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9070
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPI80N06S405, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 5.7 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPI80N06S405
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6785
  
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