产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 3.3 mΩ,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NTMFS4852NT1G, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 SO-8FL封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 3.3 mΩ,
制造商零件编号:
NTMFS4852NT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2939
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC7660, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 33封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 3.3 mΩ,
制造商零件编号:
FDMC7660
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-6285
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3805PBF, 210 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 3.3 mΩ,
制造商零件编号:
IRF3805PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
865-5756
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Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS8460, 167 A, Vds=40 V, 8引脚 Power 56封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 3.3 mΩ,
制造商零件编号:
FDMS8460
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-4844
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 FDMC7660DC, 150 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 33封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 3.3 mΩ,
制造商零件编号:
FDMC7660DC
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9535
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Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB7446PBF, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 3.3 mΩ,
制造商零件编号:
IRFB7446PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
776-9181
搜索
International Rectifier StrongIRFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFB7537PBF, 173 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 3.3 mΩ,
制造商零件编号:
IRFB7537PBF
品牌:
International Rectifier
库存编号:
807-1549
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Infineon StrongIRFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFS7537TRLPBF, 173 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 3.3 mΩ,
制造商零件编号:
IRFS7537TRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
820-8877
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLU7843PBF, 161 A, Vds=30 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 3.3 mΩ,
制造商零件编号:
IRLU7843PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
864-1031
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFN8403TR, 123 A, Vds=40 V, 8引脚 PQFN封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 3.3 mΩ,
制造商零件编号:
AUIRFN8403TR
品牌:
Infineon
库存编号:
872-4149
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7537PBF, 173 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 3.3 mΩ,
制造商零件编号:
IRFS7537PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
872-4215
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3805L, 210 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 3.3 mΩ,
制造商零件编号:
AUIRF3805L
品牌:
Infineon
库存编号:
912-8595
搜索
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMFS5C628NLT1G, 150 A, Vds=60 V, 5引脚 DFN封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 3.3 mΩ,
制造商零件编号:
NTMFS5C628NLT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
922-9572
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3805, 210 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 3.3 mΩ,
制造商零件编号:
AUIRF3805
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7433
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3805L, 210 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 3.3 mΩ,
制造商零件编号:
AUIRF3805L
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7442
搜索
International Rectifier StrongIRFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFP7537PBF, 172 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 3.3 mΩ,
制造商零件编号:
IRFP7537PBF
品牌:
International Rectifier
库存编号:
807-1552
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Infineon StrongIRFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFB7537PBF, 173 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 3.3 mΩ,
制造商零件编号:
IRFB7537PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
820-8845
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Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD18502Q5B, 204 A, Vds=40 V, 8引脚 VSON封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 3.3 mΩ,
制造商零件编号:
CSD18502Q5B
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4870
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP032N08B_F102, 211 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 3.3 mΩ,
制造商零件编号:
FDP032N08B_F102
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8528
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Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH7446TRPBF, 85 A, Vds=40 V, 8引脚 PQFN封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 3.3 mΩ,
制造商零件编号:
IRFH7446TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
776-9169
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Infineon COOLiRFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFS8403, 123 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 3.3 mΩ,
制造商零件编号:
AUIRFS8403
品牌:
Infineon
库存编号:
787-0998
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Panasonic SK 系列 Si N沟道 MOSFET SK8603160L, 70 A, Vds=30 V, 8引脚 HSO8-F4-B封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 3.3 mΩ,
制造商零件编号:
SK8603160L
品牌:
Panasonic
库存编号:
787-7642
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International Rectifier StrongIRFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFS7537TRLPBF, 173 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 3.3 mΩ,
制造商零件编号:
IRFS7537TRLPBF
品牌:
International Rectifier
库存编号:
807-1570
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Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16407Q5, 100 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 3.3 mΩ,
制造商零件编号:
CSD16407Q5
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4763
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3805SPBF, 210 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 3.3 mΩ,
制造商零件编号:
IRF3805SPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
865-5765
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