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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1010EZ, 84 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 8.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRF1010EZ
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  715-7655
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMFS4925NT1G, 48 A, Vds=30 V, 8引脚 SO-8FL封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 8.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTMFS4925NT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-4714
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS7682, 59 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 8.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDMS7682
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-4784
  
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• STMicroelectronics STripFET F3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB60N55F3, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 8.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STB60N55F3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9856
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET 晶体管 SI7655DN-T1-GE3, 40 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 8.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI7655DN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9257
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDPF085N10A, 40 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 8.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDPF085N10A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3573
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD18533Q5A, 100 A, Vds=60 V, 8引脚 SON封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 8.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  CSD18533Q5A
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4892
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMFS4C09NT1G, 52 A, Vds=30 V, 8引脚 SO-8FL封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 8.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTMFS4C09NT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  867-3259
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH7107TRPBF, 75 A, Vds=75 V, 8引脚 PQFN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 8.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFH7107TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  872-4173
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1010EZ, 84 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 8.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRF1010EZ
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3982
  
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• Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA14DP-T1-GE3, 58 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 8.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SIRA14DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9389
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN6R5-25YLC, 64 A, Vds=25 V, 4引脚 SOT-669封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 8.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  PSMN6R5-25YLC
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-3000
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDP085N10A_F102, 96 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 8.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDP085N10A_F102
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  760-5930
  
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• STMicroelectronics STripFET F3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD60N55F3, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 8.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STD60N55F3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9929
  
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• STMicroelectronics STripFET F3 系列 Si N沟道 MOSFET STD65N55F3, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 8.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STD65N55F3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  795-9000
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP80N06S4L-05, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 8.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP80N06S4L-05
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9339
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 N沟道 Si MOSFET IPI80N06S4L-05, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 8.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPI80N06S4L-05
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9342
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC059N04LSG, 73 A, Vds=40 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 8.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSC059N04LSG
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5316
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1010EZPBF, 84 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 8.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF1010EZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  831-2783
  
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