产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 10.5 mΩ,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ105N04NS G, 40 A, Vds=40 V, 8引脚 TSDSON封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 10.5 mΩ,
制造商零件编号:
BSZ105N04NS G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5361
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STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STW120NF10, 110 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 10.5 mΩ,
制造商零件编号:
STW120NF10
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
810-3700
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS8447, 12.8 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 10.5 mΩ,
制造商零件编号:
FDS8447
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0693
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Vishay Si N沟道 MOSFET SIR870ADP-T1-GE3, 60 A, Vds=100 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 10.5 mΩ,
制造商零件编号:
SIR870ADP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9355
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN3010LFG-7, 30 A, Vds=30 V, 8引脚 POWERDI3333封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 10.5 mΩ,
制造商零件编号:
DMN3010LFG-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
827-0531
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Vishay Si N沟道 MOSFET SIR870ADP-T1-GE3, 60 A, Vds=100 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 10.5 mΩ,
制造商零件编号:
SIR870ADP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-4242
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STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STB120NF10T4, 120 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 10.5 mΩ,
制造商零件编号:
STB120NF10T4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5065
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STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STP120NF10, 120 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 10.5 mΩ,
制造商零件编号:
STP120NF10
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5295
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STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STL90N10F7, 70 A, Vds=100 V, 8引脚 Power Flat封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 10.5 mΩ,
制造商零件编号:
STL90N10F7
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
786-3748
搜索
STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STB120NF10T4, 120 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 10.5 mΩ,
制造商零件编号:
STB120NF10T4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-6569
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Vishay Si N沟道 MOSFET SUP85N10-10-GE3, 85 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 10.5 mΩ,
制造商零件编号:
SUP85N10-10-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
708-5178
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Vishay Si N沟道 MOSFET SUD50N04-8M8P-4GE3, 50 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 10.5 mΩ,
制造商零件编号:
SUD50N04-8M8P-4GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-7470
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