以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3205Z, 110 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 6.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRF3205Z
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7436
  
• 
  搜索

• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMFS5832NLT1G, 110 A, Vds=40 V, 8引脚 SO-8FL封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 6.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTMFS5832NLT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  753-2686
  
• 
  搜索

• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPP80N06S2L-H5, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 6.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP80N06S2L-H5
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9468
  
• 
  查看其他仓库

• Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16327Q3, 60 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 6.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  CSD16327Q3
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4729
  
• 
  搜索

• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP70N04S4-06, 70 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 6.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP70N04S4-06
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6952
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP8870_F085, 156 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 6.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDP8870_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8556
  
• 
  查看其他仓库

• Vishay Si N沟道 MOSFET VS-FB190SA10, 190 A, Vds=100 V, 4引脚 SOT-227封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 6.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  VS-FB190SA10
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-0953
  
• 
  搜索

• Vishay Si N沟道 MOSFET VS-FB190SA10, 190 A, Vds=100 V, 4引脚 SOT-227封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 6.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  VS-FB190SA10
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  762-0153
  
• 
  搜索

• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPI70N04S4-06, 70 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 6.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPI70N04S4-06
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6738
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR3114ZTRPBF, 130 A, Vds=40 V, 3针+焊片 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 6.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLR3114ZTRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  915-5109
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC042N03LS G, 93 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 6.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSC042N03LS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5250
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STH110N10F7-2, 110 A, Vds=100 V, 3引脚 H2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 6.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STH110N10F7-2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  786-3681
  
• 
  搜索

• Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPB70N04S3-07, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 6.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPB70N04S3-07
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9424
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3205Z, 110 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 6.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRF3205Z
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  912-8586
  
• 
  搜索

• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 VS-FB190SA10, 190 A, Vds=100 V, 4引脚 SOT-227封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 6.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  VS-FB190SA10
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-5788
  
• 
  搜索