以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• Toshiba N沟道 Si MOSFET TK31N60W,S1VF(S, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 88 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK31N60W,S1VF(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5107
  
• 
  搜索

• Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI5997DU-T1-GE3, 4.1 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK ChipFET封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 88 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI5997DU-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1365
  
• 
  搜索

• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK31N60W,S1VF(S, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 88 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK31N60W,S1VF(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6198
  
• 
  搜索

• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK31A60W,S4VX(M, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 88 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK31A60W,S4VX(M
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  891-2954
  
• 
  查看其他仓库

• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK31J60W,S1VQ(O, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 88 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK31J60W,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2338
  
• 
  查看其他仓库

• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STW43NM60N, 35 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 88 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STW43NM60N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-2931
  
• 
  查看其他仓库

• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK31A60W,S4VX(M, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 88 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK31A60W,S4VX(M
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6173
  
• 
  搜索

• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK31E60W,S1VX(S, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 88 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK31E60W,S1VX(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  891-2958
  
• 
  查看其他仓库

• Toshiba N沟道 Si MOSFET TK31A60W,S4VX(M, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 88 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK31A60W,S4VX(M
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5081
  
• 
  搜索

• Toshiba N沟道 Si MOSFET TK31J60W,S1VQ(O, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 88 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK31J60W,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5093
  
• 
  搜索

• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK31J60W,S1VQ(O, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 88 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK31J60W,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6185
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 Si N沟道 MOSFET STFW40N60M2, 34 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-3PF封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 88 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STFW40N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  876-5651
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STW43NM60ND, 35 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 88 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STW43NM60ND
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0332
  
• 
  查看其他仓库

• Toshiba N沟道 Si MOSFET TK31E60W,S1VX(S, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 88 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK31E60W,S1VX(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5090
  
• 
  搜索

• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK31E60W,S1VX(S, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 88 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK31E60W,S1VX(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6182
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 STFI40N60M2, 34 A, Vds=650 V, 3引脚 I2PAKFP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 88 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STFI40N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-7123
  
• 
  查看其他仓库

• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK31N60W,S1VF(S, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大漏源电阻值 88 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK31N60W,S1VF(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2335
  
• 
  查看其他仓库