产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 7 Ω,
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
>
分立半导体
>
MOSFET 晶体管
筛选品牌
Fairchild Semiconductor (2)
ON Semiconductor (1)
STMicroelectronics (5)
Vishay (6)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STFW4N150, 4 A, Vds=1500 V, 3引脚 TO-3PF封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 7 Ω,
制造商零件编号:
STFW4N150
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0503
查看其他仓库
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET 2SK3748-1E, 4 A, Vds=1500 V, 3引脚 TO-3P封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 7 Ω,
制造商零件编号:
2SK3748-1E
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-0734
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET 晶体管 IRFR9310PBF, 1.8 A, Vds=400 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 7 Ω,
制造商零件编号:
IRFR9310PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
535-3270
查看其他仓库
Vishay Si P沟道 MOSFET IRFU9310PBF, 1.8 A, Vds=400 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 7 Ω,
制造商零件编号:
IRFU9310PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9967
搜索
Fairchild Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET FDG6301N, 220 mA, Vds=25 V, 6引脚 SC-70封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 7 Ω,
制造商零件编号:
FDG6301N
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-0170
搜索
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP4N150, 4 A, Vds=1500 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 7 Ω,
制造商零件编号:
STP4N150
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0588
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR1N60ATRPBF, 1.4 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 7 Ω,
制造商零件编号:
IRFR1N60ATRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2777
搜索
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP4N150, 4 A, Vds=1500 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 7 Ω,
制造商零件编号:
STP4N150
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-6645
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFU1N60APBF, 1.4 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-251封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 7 Ω,
制造商零件编号:
IRFU1N60APBF
品牌:
Vishay
库存编号:
812-0660
搜索
Fairchild Semiconductor 双 N沟道 Si MOSFET FDG6301N_F085, 220 mA, Vds=25 V, 6引脚 SC-70封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 7 Ω,
制造商零件编号:
FDG6301N_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8146
查看其他仓库
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR1N60APBF, 1.4 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 7 Ω,
制造商零件编号:
IRFR1N60APBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-1988
搜索
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STW4N150, 4 A, Vds=1500 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 7 Ω,
制造商零件编号:
STW4N150
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5251
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET IRFU9310PBF, 1.8 A, Vds=400 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 7 Ω,
制造商零件编号:
IRFU9310PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
919-4505
搜索
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STW4N150, 4 A, Vds=1500 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 7 Ω,
制造商零件编号:
STW4N150
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-6566
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号