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• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R125CP, 25 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  IPP60R125CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7478
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPB60R250CP, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  IPB60R250CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8356
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R045CP, 60 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  IPW60R045CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8397
  
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• Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPA60R380C6, 10.6 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  IPA60R380C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-2995
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R250CP, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  IPP60R250CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3049
  
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• Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R070C6, 53 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  IPW60R070C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3068
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA04N60C3, 4.5 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  SPA04N60C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3147
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW11N60C3, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  SPW11N60C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3213
  
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• Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPB60R600C6, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  IPB60R600C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9049
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPI60R250CPAKSA1, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  IPI60R250CPAKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6700
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R199CP, 16 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  IPW60R199CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-7113
  
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• Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPA60R450E6, 9.2 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  IPA60R450E6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8605
  
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• Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPA60R520C6, 8.1 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  IPA60R520C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8609
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPI15N65C3XKSA1, 15 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  SPI15N65C3XKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8778
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP07N65C3XKSA1, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  SPP07N65C3XKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8797
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP11N65C3, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  SPP11N65C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8807
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP15N60C3XKSA1, 15 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  SPP15N60C3XKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8810
  
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• Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SPP15N60CFDXKSA1, 13.4 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  SPP15N60CFDXKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8813
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPP06N60C3, 6.2 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  SPP06N60C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2175
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW24N60C3, 24 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  SPW24N60C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7236
  
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• Infineon CoolMOS P6 系列 N沟道 Si MOSFET IPD60R600P6, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  IPD60R600P6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7298
  
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• Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPD60R600E6, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  IPD60R600E6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7330
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R125CP, 25 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  IPW60R125CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7333
  
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• Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPP60R160C6, 24 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  IPP60R160C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7337
  
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• Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPP60R074C6, 58 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  IPP60R074C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7563
  
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